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半导体功能材料 华中科技大学微系统中心 陈明祥 1 内 容 半导体材料基本原理 半导体材料分类 半导体材料加工 半导体材料应用 2 半导体定义 导电性能界于金属与绝缘材料间(10E-3∼10E9 Ω.cm) 在某个温度范围内,随着温度升高而增加电荷载流 子浓度，电阻率下降 导电性：超导体金属半导体（半金属）绝缘体 3 半导体基本特性 1）电阻率特性 2）导电特性：载流子导电 3）光电特性：对光照、掺 杂特性敏感 4）负电阻率温度特性：电 阻率随温度上升而指数 式下降 5）整流特性：单向导电 6）其它：结合力以共价键 为主，晶体结构为正四 面体 4 材料能带结构 价带：0K条件下被电子填充的能 量最高能带，Ev 导带：0K条件下未被电子填充的 能量最低能带，Ec 带隙：导带底与价带顶间的能量 差，Eg 半导体导电：半导体价带中的电子受激发后从满价带跃到空导 带中，跃迁电子可在导带中自由运动，传导负电荷。同时，在 满价带中留下空穴，空穴带正电荷，在价带中空穴可按电子运 动相反的方向运动而传导正电荷 半导体导电来源于电子和空穴运动，电子和空穴都是半导体中 的导电载流子 5 6 7 材料能带结构 导体(≅0eV) 绝缘体(2eV) 半导体(2eV) 8 说 明 绝缘体和半导体的能带类似，禁带宽度不同（主要差 别），室温下，硅（1.12v）、锗（0.67v）、砷化镓 （1.43v）、金刚石（6－7v） 外界条件变化时，半导体中少量电 子可以激发到导带，参与导电 绝缘体禁带宽度大，激发的电子很 少，导电性差 半导体中，导带电子和价带空穴均 参与导电（与金属导体最大差别） 9 锗和硅的能带结构 间接带隙半导体：1）导带具有多能谷结构 2）价带顶与导带底不位于同一布利渊区 10 砷化镓能带结构 直接带隙半导体 1 ）导带具有多能谷结构 2 ）价带顶和导带底位于 同一布利渊区