半导体中的非平衡载流子..ppt

School of Microelectronics School of Microelectronics 半导体中的载流子 1 非平衡载流子的产生与复合 平衡态半导体的标志就是具有统一的费米能级EF，此时的平衡 载流子浓度n0和p0唯一由EF决定。平衡态非简并半导体的n0和p0乘 积为 称n0p0=ni2为非简并半导体平衡态判据式。 但是半导体的平衡态条件并不总能成立，如果某些外界 因素作用于平衡态半导体上，如图所示的一定温度下用光子 能量hγ≥Eg的光照射n型半导体，这 时平衡态条件被破坏，样品就处于偏 离平衡态的状态，称作非平衡态。 光照前半导体中电子和空穴浓度分 别是n0和p0，并且n0p0。光照后的非 平衡态半导体中电子浓度n=n0+Δn ，空穴浓度p=p0+Δp ，并且 Δn=Δp ，比平衡态多出来的这部分载流子Δn和Δp就称为非平 衡载流子。n型半导体中称Δn为非平衡多子，Δp为非平衡少子。 图3.5 n型半导体非平衡 载流子的光注入 光照产生非平衡载流子的方式称作非平衡载流子的光注入， 此外还有电注入等形式。 通常所注入的非平衡载流子浓度远远少于平衡态时的多子浓度。例如n型半导体中通常的注入情况是Δn n0，Δp n0，满足这样的注入条件称为小注入。 要说明的是即使满足小注入条件，非平衡少子浓度仍然可以比平衡少子浓度大得多。 例如：磷浓度为5×1015cm-3 的n-Si，室温下平衡态多子浓度n0=5×1015cm-3，少子浓度p0=ni2/n0=4.5×104cm-3，如果对该半导体注入非平衡载流子浓度Δn=Δp=1010cm-3，此时Δnn0，Δpp0，满足小注入条件。但必须注意尽管此时Δnn0，而Δp(1010cm-3)却远大于p0(4.5×104cm-3)。 因此相对来说非平衡多子的影响轻微，而非平衡少子的影 响起重要作用。通常说的非平衡载流子都是指非平衡少子。 非平衡载流子的存在使半导体的载流子数量发生变化，因而会引起附加电导率 电阻上电压的变化正比于非平衡载流子的浓度即 当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，非平衡载流子也就逐渐消失，半导体最终恢复到平衡态。 半导体由非平衡态恢复到平衡态的过程，也就是非平衡载流子逐步消失的过程，称为非平衡载流子的复合。 平衡态也不是静止的、绝对的平衡，而是动态平衡 2非平衡载流子的寿命 光照停止后非平衡载流子生存一定时间然后消失，把撤除光照后非平衡载流子的平均生存时间τ称为非平衡载流子的寿命。 由于非平衡少子的影响占主导作用，故非平衡载流子寿命称为少子寿命。 为描述非平衡载流子的复合消失速度，定义单位时间单位体积内净复合消失的电子-空穴对数为非平衡载流子的复合率。 如果n型半导体在t=0时刻非平衡载流子浓度为(Δp)0，并在 此时突然停止光照，Δp(t)将因为复合而随时间变化，也就是 非平衡载流子浓度随时间的变化率-dΔp(t)/dt等于非平衡载流子 的复合率Δp/τ，即 上式的解为Δp(t)=(Δp)0e-t/τ，表明光照停止后非平衡载流子浓度 随时间按指数规律衰减。而非平衡载流子的平均生存时间为 所以非平衡载流子寿命τ就是其平均生存时间。 如果令Δp(t)=(Δp)0e-t/τ中的 t=τ，那么 寿命τ的另一个含义是非平衡载流子衰减至起始值的1/e倍 所经历的时间。 τ的大小反映了外界激励因素撤除后非平衡载流子衰减速度的不同，寿命越短衰退越快。 不同材料或同一种材料在不同条件下，其寿命τ可以在很大范围内变化。 3准费米能级 由于存在外界因素作用，非平衡态半导体不存在统一的EF。 但分别就导带和价带的同一能带范围内而言，各自的载流子带内 热跃迁仍然十分踊跃，极短时间内就可以达到各自的带内平衡而 处于局部的平衡态，因此统计分布函数对导带和价带分别适用。 为此引入导带电子准费米能级EFN和价带空穴准费米能级EFP，类 似于平衡态，有 只要非简并条件成立，上式就成立。知道了非平衡态载流子浓度 n和p，由上式便可求出EFN和EFP。 变换上式，有 表明： 无论电子或空穴，非平衡载流子越多，准费米能级偏离平衡态EF 的程度就越大，但是EFN和EFP偏离EF的程度不同。小注入时多子 的准费米能级和EF偏离不多，而少子准费米能级与EF偏离较大。 非平衡载流子的浓度积为 上式说明，EFN和EFP两者之差反映了np积与ni2相差的程度。EFN 和EFP之差越大距离平衡态就越远，反之就越接近平衡态，若EFN 和EFP重合就是平衡态了。下图是n型半导体小注入前后EF、EFN 和EFP示意