半导体传感器..ppt

2.温度上下限报警电路 图3.9 温度上下限报警电路 电路测温原理： 当RT减小使VaVb达到临界时，比较器输出高电压，VT1导通，LED1发光报警； 当RT增大使VaVb达到临界时，比较器输出低电压，VT2导通，LED2发光报警。 §3.3 半导体PN结型温度传感器 半导体结型温度传感器主要利用pn结的电流电压特性与温度之间的关系作为理论基础，我们以温敏二极管和温敏晶体管为例，来研究结型温度传感器的一般性能。在结构上，PN结型温度传感器器件和普通的二极管、三极管没有太大区别。 3.3.1 半导体温敏二极管 一、温敏二极管的工作原理 二极管温度传感器是利用正向压降与温度的关系实现温-电转换的，其工作原理可简单描述为：温敏二极管正向偏置时，正向电流If保持恒定，正向压降Vf随着温度T的升高而减小。 对于理想的pn结，其电流电压方程为： 在正向偏压下，一般都有 因此 我们把JS中与温度有关的项单独写出，其他与温度无关的因素用常数B来表示，整理之后的关系为： 从而得到压降与温度之间的关系为： 该式直接反映了二极管的正向电压与温度之间关系， 若If一定，Vf随温度T的升高而减小，呈负温度特性。 Eg 为了讨论问题的方便，设已知温度T1下工作电流为If1，正向压降为Vf1，可得正向压降与温度之间的另一种表达方式： 二、温敏二极管的特性 ⒈非线性的影响 从压降与温度之间的关系可以看出，当温敏二极管的电流If正比于绝对温度T的γ次幂时，Vf与T之间才会出现真正的线性关系。并且，我们在考虑正向电流电压特性的时候，只考虑了扩散电流，而实际的正向电流中还包括了势垒区复合电流等因素，会更加复杂。 温敏差分对管的核心思想，是选择两个参数一样的温敏二极管同时测量温度T，给它们提供不同的两个工作电流If1、 If2，两个管子的电压差△ Vf与温度之间的关系为： 可见，只要两个管子的电流比值恒定，则电压差与温度T之间呈现良好的线性关系，优于单管。 为了提高温敏二极管的线性度，我们可以将温敏二极管组合成温敏差分对管电路的形式。 3.10 温敏二极管的差分 对管电路 ⒉线性测量范围——存在高、低温特性 图3.11 温敏二极管的Vf-T关系曲线 温敏二极管Vf-T的近线性关系只能保持在一定温度范围内，如图所示。当温度升高或降低到一定值时，材料载流子浓度发生突变，导致半导体的电阻率发生很大变化，线性关系会偏离。 低温特性：在工作电流恒定的情况下，若温度下降到一定程度， Vf将急剧增加。这是因为在低温时出现了“冻析效应”， 即低温时只有少量杂质电离提供载流子，温度越低则电离率越低，相当于更多的载流子被从导带或价带“冻析”出去，回到杂质能级上，中性杂质原子的数量随着温度降低而增加，半导体材料的电阻率增加。 二极管测得的压降Vf包含两部分——半导体材料电阻压降VR和pn结上压降Vj 。在低温时，由于材料电阻率增大，使半导体材料电阻上的压降VR急剧增大，所以二极管压降也增大，曲线在低温区发生突变。而突变点的温度大小主要取决于半导体材料的种类以及杂质的电离能，电离能越低，突变点的温度越低。 高温特性：高温时，电子的本征激发起主导作用，随着本征激发的增加，pn结正向压降随着温度的增加将变化得非常缓慢，电流电压关系不再成立，造成新的非线性。 禁带宽度大的材料做成pn结温度传感器，在高温区能获得比较宽的线性范围，这是因为禁带宽度越大的材料本征激发载流子浓度越低。 3.3.2 温敏晶体管（温敏三极管） 一、温敏晶体管的工作原理 二极管作为温敏器件是利用pn结在恒定正向电流下，其正向电压与温度之间的近线性关系来实现的，而采用温敏，则考虑的是在三极管导通情况下，集电极电流IC和发射结正向压降Vbe之间的关系。 若温敏晶体管的集电极电流IC是常数时，发射结压降Vbe与温度T之间的关系为： 设在某已知温度下测得的Vbe和Ic值分别为Vbe1和Ic1，又得到温敏晶体管Vbe -T的第二种表达方式： 当IC恒定时，第三项远小于第二项，即Vbe随温度的升高近似线性地减小，呈负温度特性。 温敏晶体管的工作原理可简单