半导体器件物理课件第一章..ppt

按复合过程中载流子跃迁方式不同分为： 直接复合：是电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起电子-空穴的消失； 间接复合：指电子和空穴通过禁带中的能级(称为复合中心)进行的复合。 按复合发生的部位分为体内复合和表面复合。 伴随复合载流子的多余能量要予以释放，其方式包括发射光子(有发光现象)、把多余能量传递给晶格或者把多余能量交给其它载流子(俄歇复合)。 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 5、非平衡载流子几种不同的复合形式： * 1.5.1载流子的产生与复合 过剩载流子 过剩载流子的产生与复合相关符号 * 1.5.2过剩载流子的性质 连续性方程 空穴连续性方程： 电子连续性方程： p表示空穴密度；t表示时间；FP+表示空穴粒子的流量(个/cm2s) ；gp表示空穴产生率；τpt包括热平衡载流子寿命和非平衡载流子寿命； * 1.5.2过剩载流子的性质 与时间有关的扩散方程 与时间有关的扩散方程 n0p0与空间时间无关 * 1.5.3双极输运 双极输运 外加电场 感应内建电场 带负电的电子和带正电的空穴以同一个迁移率或扩散系数一起漂移或扩散的现象称为双极输运。 * * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 * 确定晶格中的电子特性，确定晶体中大量电子的统计学特性。 本征半导体中究竟有多少电子和空穴？ n0表示导带中平衡电子浓度 p0表示价带中平衡空穴浓度 本征半导体中有： n0=p0 =ni ni为本征载流子浓度 ni的大小与什么因素有关？ T、Eg * 1.3.1半导体中载流子 电子空穴的平衡分布 导带电子浓度与价带空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 导带电子的分布 价带空穴的分布 * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 热平衡时的电子浓度n0 这里假设费米能级始终位于禁带中。 积分下限：Ec；积分上限：这里设为无穷大。 由于EEC; EC-EFkT 所以有 E-EFkT * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 引入中间变量 ，得到 为伽马函数，其值为 * 1.3.1半导体中载流子 n0 p0的方程 其中 称为导带有效状态密度，因此 同理可以得到价带空穴浓度 其中 称为价带有效状态密度 * 1.3.1半导体中载流子 本征载流子浓度 本征半导体： 本征激发： 不含有任何杂质和缺陷。 导带电子唯一来源于成对地产生电子－空穴对因此导带电子浓度就等于价带空穴浓度。 本征半导体的电中性条件是 qp0-qn0=0 即 n0=p0=ni 本征载流子浓度 本征半导体的费米能级称为本征费米能级，EF=EFi。 * 1.3.1半导体中载流子 本征载流子浓度 上两式相乘有： 任何平衡态半导体载流子浓度积n0p0 等于本征载流子浓度ni2。 对确定的半导体材料，受式中Nc和Nv、尤其是指数项exp(-Eg/kT)的影响，本征载流子浓度ni随温度的升高显著上升。 平衡态半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 * 1.3.1半导体中载流子 本征载流子浓度 公认值会与上式计算得到的ni值有一定误差： 有效质量为低温下进行的回旋共振实验测定值，此参数可能与温度有关； 状态密度函数由理论推导得到，有可能与实验结果不十分吻合。 * 1.3.2掺杂原子与能级 施主杂质 由于以磷为代表的Ⅴ族元素在Si中能够施放导电电子，称V族元素为施主杂质或n型杂质，用Nd表示。 电子脱离施主杂质的束缚成为导电电子的过程称为施主电离，所需要的能量ΔED称为施主杂质电离能。ΔED的大小与半导体材料和杂质种类有关，但远小于Si和Ge的禁带宽度。 施主杂质未电离时是中性的，称为束缚态或中性态，电离后称为施主离化态。 Si中掺入施主杂质后，通过杂质电离增加了导电电子数量从而增强了半导体的导电能力。 把主要依靠电子导电的半导体称为n型半导体。n型半导体中电子称为多数载流子，简称多子；而空穴称为少数载流子，简称少子。 * 1.3.2掺杂原子与能级 受主杂质 由于以硼原子为代表的Ⅲ族元素在Si、Ge中能够接受电子而产生导电空穴，称Ⅲ族元素为受主杂质或