半导体工艺原理刻蚀工艺(贵州大学)..ppt

刻蚀工艺 光刻总结 光刻：临时的图形转移过程 IC生长中最关键的工艺 需要：高分辨率、低缺陷密度 光刻胶：正胶和负胶 工艺过程：预烘、底胶旋涂、PR旋涂、前烘、对准曝光、后烘PEB、显影、坚膜、检测 下一代光刻技术：EUV和电子束光刻 刻蚀工艺 用光刻方法制成的微图形，只给出了电路的行貌，并不是真正的器件结构。因此需将光刻胶上的微图形转移到胶下面的各层材料上去，这个工艺叫做刻蚀。通常是用光刻工艺形成的光刻胶作掩模对下层材料进行腐蚀，去掉不要的部分，保留需要的部分。 需要刻蚀的物质：SiO2 、Si3N4、Polysilicon和铝合金及Si 要求：图形的保真度高、选择比好、均匀性好、清洁。 刻蚀工艺流程 刻蚀的基本概念 选择性的去除硅片上薄膜的工艺。 选择性：分为整片全部去除和部分去除； 去除：分为干法刻蚀和湿法刻蚀； 薄膜：介电质层、金属层、多晶层、光刻胶等薄膜。 栅掩膜对准 Gate Mask Alignment 栅掩膜曝光 Gate Mask Exposure Development/Hard Bake/Inspection Etch Polysilicon刻蚀多晶硅 Etch Polysilicon 继续 Strip Photoresist 剥去光刻胶 Ion Implantation Rapid Thermal Annealing 刻蚀术语 刻蚀速率 选择比 刻蚀均匀性 刻蚀剖面 湿法刻蚀 干法刻蚀 RIE：反应离子刻蚀 刻蚀速率（Etch Rate） 刻蚀选择比 刻蚀选择比是指同种腐蚀液对不同材料刻蚀速率的比值。 举例 BOE对高饱和正硅酸乙酯磷硅酸玻璃的刻蚀速率是 6000 ?/min, 硅的刻蚀速率是 30 ?/min。 刻蚀均匀性 圆片上和圆片间的重复性 标准偏差不均匀性 最大最小均匀性 刻蚀剖面 刻蚀剖面 刻蚀技术分类：温法腐蚀：进行腐蚀的化学物质是溶液；干法腐蚀(一般称为刻蚀)：进行刻蚀的化学物质是气体。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法，用在线条较大的IC(≥3μm)； 优点：选择性好；重复性好；生产效率高；设备简单；成本低； 缺点：钻蚀严重；各向同性，对图形控制性差，并且要使用大量有毒与腐蚀的化学药品。 广泛应用在半导体工艺中：磨片、抛光、清洗、腐蚀； IC工艺中常用材料的化学腐蚀剂 湿法刻蚀剖面 SiO2 的腐蚀 二氧化硅的腐蚀速率与温度的关系 氮化硅腐蚀 对于厚度为1-2μm 的较薄氮化硅膜，可以用HF缓冲液进行腐蚀。 对于厚度较厚的氮化硅膜，再放入180℃的热磷酸中继续刻蚀图形窗口内的Si3N4膜。 铝的腐蚀 硅或多晶硅的刻蚀 硅的刻蚀通常用硝酸和氢氟酸的混合液 硝酸其氧化作用将硅氧化成二氧化硅，同时氢氟酸将生成的二氧化硅去掉； 用去离子水冲洗掉刻蚀剂和反应生成物。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 优点：各项异性好，可以高保真的转移光刻图形； 主要有溅射与离子束铣蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀等。 用于IC制造中薄膜的典型或代表性等离子体气体 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching：简称为RIE)：通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。 （1）二氧化硅的刻蚀 采用的气体为CF4、CHF3、C2F6 增加等离子体中的氧含量，将导致Si/SiO2的选择性变差。增加氢的含量将改善Si/SiO2的选择性。 在现在的半导体刻蚀制造中，常采用CHF2和 Cl2的混合等离子体来进行SiO2的RIE刻蚀。 （2）氮化硅的刻蚀 用于刻蚀SiO2的干刻蚀法，都可以用来刻蚀氮化硅和多晶硅，但Si-N键的键结强度介于Si-O和Si- Si之间，因此，刻蚀速度以SiO2为最快， Si3N4其次，多晶硅最慢。 如以CHF3的等离子体作为刻蚀气体， SiO2/Si的选择性在10以上，Si3N4/Si的选择性在3-5， SiO2/ Si3N4的选择性在2-4 。 （3）多晶硅化物（Polysilicon）的刻蚀 大多数金属对SiO2的附着力很差，并且可以使用扩散也能完成自对准工艺，采用多晶硅来取代金属。但多晶硅的电阻还是