半导体物理第章..ppt

第5章 非平衡载流子 主要内容 处于热平衡状态的半导体,在一定的温度下,载流子浓度是一定的,称为平衡载流子浓度。 在外界作用下，能带中的载流子数目发生明显改变，即产生非平衡载流子。 大多数情况下,非平衡载流子都是在半导体的局部区域产生的.它们除了在电场作用下的漂移运动以外,还要作扩散运动. 本章主要讨论非平衡载流子的运动规律及它们的产生和复合机制. 5.1非平衡载流子的注入与复合 小注入 如果非平衡少数载流子的浓度远小于平衡多数载流子的浓度，称为小注入。 例如,在室温下n0=1.5×1015cm-3的N型硅中. 空穴浓度p0= 1.5×105cm-3. 如果引入非平衡载流子Δn=Δp=1.0×1010cm-3, 则Δpn0. 在小注入情况下，多数载流子浓度变化很小，可以忽略， 但非平衡少数载流子浓度还是比平衡少数载流子浓度大很多，因而它的影响是十分重要的。 相对来说，非平衡多数载流子的影响可以忽略。 实际上，非平衡载流子起着主要作用，通常所说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 附加电导率 小注入时 电阻变化 电压变化反映了附加电导率的变化，从而检测了非平衡少数载流子的注入。 5.2非平衡载流子的寿命 可以通过实验，观察光照停止后，非平衡载流子浓度随时间变化的规律。 实验表明，光照停止后随时间按指数规律减少。