半导体器件噪声频域与时域分析的新方法研究.pdf

II 半导体器件噪声频域和时域分析的新方法研究 反映了信号的整体奇异性；而子波相似系数刻画了两个信号的子波极大模在个数 和幅值之间的匹配程度，反映了两个信号的相似程度。 2. 提出了电子器件噪声高斯性和线性的定量分析方法，采用了双相干系数平 方和（S ）这一表征参量。通过计算机模拟噪声信号的分析，给出了依据S 值对器 件噪声分类的定量标准，即 S 值处于：区间[0, 2)内为线性高斯信号；区间[2, 60) 内为非线性高斯信号；区间[60, 500)内为线性非高斯信号；区间[500, +∞)内为 非线性非高斯信号。将这种分析方法用于实验测量的电子器件噪声信号分析中， 表明器件噪声中广泛存在这四种类型的信号，并可以用该方法进行有效区分。 3. 实现并改进了 LZ 复杂度分析方法和涨落复杂度分析方法，通过它们可以 有效地刻画信号的复杂度。在计算涨落复杂度时，相对于传统的均值二进制粗粒 化，提出了差分粗粒化方式，并进行了分析验证。 新的结论是指将上述分析方法用于MOSFET实际测试噪声信号所获得的结论， 分述如下。 1. 根据子波极大模统计分析方法的分析结果可知：1）nMOSFET 和 pMOSFET 的子波极大模统计结果均与 RTS 叠加模型的结果相接近；2 ）辐照没有改变 nMOSFET 和 pMOSFET 的低频噪声产生机制；3 ）辐照没有在MOSFET 材料中引 入新的缺陷类型，而是使原有类型缺陷增多或使散射增强，其中 nMOSFET 的辐 照损伤大于 pMOSFET 。 2. 根据双相干系数平方和的分析结果可知：nMOSFET器件噪声存在非高斯性； 小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件；在器件的线性区，其非高斯性随着 漏压的增加而增加。这一现象是由数学上的中心极限定理和器件噪声的微观机制 所共同决定的。 3. 根据 LZ 复杂度分析方法的分析结果可知：MOSFET 在线性区噪声的 LZ 值随着漏压的增大而减小，随着栅压的增大而增大；nMOSFET 噪声 LZ 值的变化 幅度要大于 pMOSFET 。 4．涨落复杂度分析方法有两个表征参量：涨落复杂度（FC ）和平均信息增益 （mIG ）。其结论如下：随着漏压的增加，MOSFET 噪声的 FC 值减小，mIG 值增 加，其 C-R 值向 Bernoulli 曲线的右下方移动；随着栅压的增加，FC 值增加，mIG 值减小，其 C-R 值向 Bernoulli 曲线的左上方移动。 本文所取得的研究结果为进一步的半导体器件噪声研究奠定了实验和理论基 础。 关键词：噪声 MOS器件 RTS叠加模型 子波 高阶统计量 复杂度 Abstract III Abstract Noise is a general phenomenon that exists in most of the natural and artificial systems, such as electrical circuits and electronic devices. The study of noise phenomena is of great significance both in scientific research and in practical application. During the up to one century investigation process, noise was found in almost all types of electronic materials, devices and systems with a variety of expressions and contents. In order to deepen the understanding of electronic noise, some recently developed signal process