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CVD法制备石墨烯研究概况和机制探究 于志远 摘要: 石墨烯具有独特的结构和优异的性能, 近年来在化学、物理和材料学界引起了广泛的研究兴趣，并且在石墨烯的制备上已取得了不少的进展。 化学气相沉积(CVD)法是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法, 具有产物质量高、生长面积大等优点, 逐渐成为制备高质量石墨烯的主要方法。通过简要分析石墨烯的几种主要制备方法( 胶带剥离法、化学剥离法、SiC 外延生长法和CVD 方法)的原理和特点, 重点从结构控制、质量提高以及大面积生长等方面评述了CVD法制备石墨烯及其转移技术的研究进展, 并展望了未来CVD 法制备石墨烯的可能发展方向, 如大面积单晶石墨烯、石墨烯带和石墨烯宏观体的制备与无损转移等。 关键词:石墨烯制备 化学气相沉积 1.前言 因诺贝尔奖而骤然走进大众视野的石墨烯，是人类已知的强度最高的物质。石墨烯是单原子层的石墨薄膜，其晶格是由碳原子构成的二维蜂窝结构。该材料具有许多新奇的物理特性，它是目前已知在常温下导电性能最好的材料，电子在其中的运动速度达到了光速的1/300，远远超过了一般导体。此外，还可用石墨烯制造复合材料、电池/超级电容、储氢材料、场发射材料、超灵敏传感器等 图1 CVD法生长石墨烯的渗碳烯碳机制与表面生长机制示意图 材料的制备是研究其性能和探索其应用的前提和基础。目前已经有多种制备石墨