碳源流量对pecvd制备碳纳米管形貌的影响修改稿2.docVIP

碳源流量对PECVD制备碳纳米管形貌的影响 王 苗 （渭南师范学院 物理与电气工程学院；陕西 渭南 714000） 摘 要：碳纳米管制备是对碳纳米管结构性能研究以及应用研究的基础。采用等离子体增强化学沉积法（pecvd）改变碳源气体流量，制备碳纳米管薄膜，使用扫描电镜，透射电镜，拉曼光谱仪分别对其表征，经对实验数据理论分析后得出：若控制其它实验参数不变，只改变碳源气体流量，获得整齐排列，定向性好，管径均匀，杂质少的碳纳米管的最佳流量为30sccm。 关 键 词：碳纳米管（CNTs）；等离子增强化学沉淀（PECVD）；扫描电镜（SEM）；透射电镜（TEM）；拉曼光谱（Raman） 目录 绪论 1 一、碳纳米管简介 2 1.1碳纳米管的发现 2 1.2 碳纳米管的结构和分类 2 1.2.1 碳纳米管的结构 2 1.2.2 碳纳米管的分类 2 二、碳纳米管的制备方法 3 2.1石墨电弧法 3 2.2激光蒸发法 3 2.3化学气相沉积法 4 2.4等离子体增强化学沉积法材料 4 三、碳纳米管的表征 5 3.1扫描电子显微镜（SEM） 5 3.2透射电子显微镜（TEM） 5 3.3Raman光谱表征 6 四、碳纳米管制备 6 4.1实验设备 6 4.2实验原料 6 4.3 PECVD制备碳纳米管的操作步骤与过程 6 五、不同碳源流量制备的碳纳米管表征及其数据讨论 7 5.1不同碳源