第七章光辐射的探测及成像技术.ppt

第七章 光辐射的探测及成像技术 光电探测技术基础 光电探测技术基础 光电探测的物理效应 光电探测的物理效应 光电探测的物理效应 外光电效应——光电发射效应 外光电效应——光电发射效应 外光电效应——光电发射效应 外光电效应——光电发射效应 外光电效应——光电发射效应 外光电效应——光电发射效应 内光电效应 内光电效应—光电导效应 内光电效应—光电导效应 光热效应 光热效应 光热效应 光热效应 光热效应 光热效应 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光探测器性能参数 光电探测方式 直接探测与外差探测 直接探测与外差探测 两种探测方式性能分析 两种探测方式性能分析 两种探测方式性能分析 两种探测方式性能分析 两种探测方式性能分析 光电探测器 光电探测器类型 光电探测器类型 光电探测器类型 光电探测器类型 光电探测器类型 光电探测器类型 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 典型光电探测器 (6)探测度 ，是 的倒数，即单位入射功率相应的信噪比。 通常归一化探测度 比前述 更能体现探测器性能。 表示单位探测器面积、单位带宽的探测度，定义式为： 式中 为探测器面积， 为放大器带宽。 和 一样是波长的函数，由于噪声通常和信号调制频率有关，故 也是调制频率的函数。 (7) 频率响应 ，是描述光探测器响应度在入射光波长不变时，随入射光调制频率变化的特性参数。它是光探测器对加在光载波上的电调制信号的响应能力的反应，是表征光探测器频率特性的重要参数，其曲线如图。 光探测器频率响应曲线 除了以上7个基本参数以外，我们在使用探测器时还会遇到以下参数： 暗电流，指没有信号和背景辐射时通过探测器的电流； 工作温度，对于非冷却型探测器指环境温度，对于冷却型探测器指冷却源标称温度； 响应时间，指探测器将入射辐射转变为信号电压或电流的弛豫时间； 光敏面积，指灵敏元的几何面积。 返回 直接探测与外差探测 光探测器的光吸收过程是直接由某种光量子作用产生的，这种量子作用由检测系统读取其大小，因此其输出是由光量子的吸收率决定的，而不是由光量子的能量来决定，其工作原理基础是单位时间内探测器的输出电信号正比于光生载流子数目，而单位时间内光生载流子的数目，即载流子的跃迁速率，正比于总入射光场振幅的平方，即 设入射为缓变场 与 的合成场，则： 于是： 直接探测系统 直接探测法能检测光强及光强的变化，是非相干辐射的唯一探测方法，而对于相干辐射进行直接探测具有简单、方便、室温运转等优点，但它不能反映光载波频率及相位的变化，因而探测灵敏度低，信噪比差。 (1)当 时，它对应于直接探测方式，这种方式下，由于探测器的输出电信号正比于光生载流子跃迁速率，而光生载流子跃迁速率又正比于 (即入射光功率)，因而，探测器的输出电流是入射光功率的线性函数，其结构框图如图。 (2)当 时，跃迁几率中除两入射光功率数量和 这一常数项外，还包含一项以 振荡、相位 的分量。因而能反映入射相干光载波的频率及相位变化，它对应于外差探测方式，也叫相干探测，其结构框图见图。 外差探测系统 外差探测法可以消除背景噪声和暗电流的影响，大大提高探测灵敏度，达到近乎理想量子极限，它不仅可以探测光强调制信号，还可用于频率或相位调制波的探测，但外差探测系统复杂，对信号光与本振光要求均很高，技术困难大，成本高。由于激光的高度相干性、单色性和方向性，使光频的外差探测成为现实。光电探测器除了具有解调光功率包络变化的功能外，只要光谱响应匹配，就可以实现外差探测。 两种探测方式性能分析 1.直接探测方式性能分析 直接探测方式中调制信号频率为 ，光信号频率为 ，调制光信号为 由于光电探测器的响应时间一般远大于光频变化周期，因而光电转换过程实际上是光场变化的时间积分响应，于是得到入射到探测器上的平均光功率： 由此可得入射光在具有内增益G的探测器光敏面上输出的平均电功率为 直接探测时，入射光产生的光电流大小为 很多情况下直接探测只响应光功率的时变信息，而不考虑直流部分，则有 又由于