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深圳大学期末考试特殊考试方式 电子科学与技术学院 集成电路工艺原理 期末成绩考核报告 姓名： 学号： 深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用)二○一四～二○一五学年度第 一 学期 课程编号 1600730001 课程名称 集成电路工艺原理 主讲教师 评分 学 号 姓 名 专业年级 教师评语： 要 求 本报告（作业）必须是完全独立完成，没有抄袭或节选选本课程其他同学的作业，如果确认是抄袭（抄袭和被抄袭）都要承担最终成绩为F的结果。 完成时间：2015，1，9，17:00之前 请详细解答以下每道问题！（回答时请每道题之间留有空隙、题之间清晰分开、每题标明题号；字迹工整、最好打印；图可以手画，但是，必须用规、具，线条清晰规范；坚决杜绝！纸面脏、乱、草） 1) 在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰值和热电子效应!请详尽解释其原理。 【10分】 答： 1.1轻掺杂漏区（LDD）定义： 注入用于定义MOS晶体管的源漏区（见图17.35）。这种区域通常被称为源漏扩展区。注入使LDD杂质位于栅下紧贴沟道区边缘，为源漏区提供杂质浓度梯度。LDD在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。nMOS和pMOS的LDD注入需用两次不同的光刻和注入。在源漏区浅结形成的同时MOSFET的栅也被注入。 1.2减小电场峰值的原理： LDD结构用栅作为掩膜中低剂量注入形成（n-或p--注入），随后是大剂量的源漏注入（n+或p+注入）。源漏注入用栅氧化物侧墙作为掩膜（见图17.35）。如果没有形成LDD，在正常的晶体管工作时会在结和沟道区之间形成高电场。电子在从源区向漏区移动的过程中（对n沟道器件）将受此高电场加速成为高能电子，它碰撞产生电子-空穴对（称为热载流子或热电子）30。热电子从电场获得能量，造成电性能上的问题，如被栅氧化层陷阱捕获，影响器件的阈值电压控制。 1.3减小热电子效应原理： LDD在高浓度源漏区（1020到1021个原子每立方厘米）和低浓度沟道区（1016到1017个原子每立方厘米）间形成渐变的横向浓度梯度31.LDD降低的杂质浓度减少了结和沟道区间的电场。这项技术把结中最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离，以防产生热载流子。 2) 在电极形成工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的相关工艺,以及金属Ti在相关电极结构中的作用。 【10分】 答： 2.1金属Ti的相关工艺： 2.1.1制备电极： （1）热分解法 热分解法通常是将金属的盐类化合物溶于有机溶剂或者水溶液中，将溶液涂覆在钛基体上，通过加热使溶剂挥发，然后再高温烧结使盐类分解、氧化，得到氧化物涂层。涂覆的方法包括喷涂、滚涂或刷涂等。喷涂和滚涂机械化程度高，适用于工业化大生产，劳动环境好，制得涂层比较均匀，但涂液浪费量比较大。刷涂一般适用于小规模生产，该法需要设备简单，涂液损失少，但是劳动强度大，劳动环境差，而且制得的涂层往往不够均匀。采用热分解法，通过控制涂层配方容易制得多组分且性能优良的氧化物电极[2,3]。 （2）溶胶-凝胶法 溶胶-凝胶法是根据胶体化学原理制备涂层的一种新兴方法，可以制得超细晶粒的电极涂层，使电极表面的比表面积大大提高[4,5]。采用该法制备钛电极的大致过程是，将金属的有机化合物（例如金属醇盐）或无机化合物分散在溶剂中，通过水解反应生成活性单体，活性单体聚合生成溶胶，将溶胶涂覆在钛基体上，溶胶膜经过干燥得到凝胶膜，然后在一定的温度下烧结即可制得涂层。相对于传统的热分解法，该法制备的电极涂层均匀、晶粒更细、几乎无裂纹，近年来备受关注。 （3）电沉积法 电沉积法制备涂层钛电极，一般是以不溶性电极作阳极，经过预处理的金属钛作阴极，在含有相应金属离子的溶液中电解，金属离子沉积在金属钛阴极上，经过干燥，再高温烧结即制得涂层钛电极。该法制得的镀层通常比较均匀致密。该法的缺点是工序复杂，而且不容易制成均匀的大面积电极。 （4）溅射法 溅射法制备的膜层致密，与基体结合力强。但该法需要使用特殊的设备，制备工艺比较复杂，而且母液浪费比较多，不适合工业化大规模生产。? （5）其它方法 Kim等采用物理气相沉积法（PVD）制备了IrO2涂层钛电极。该方法制备的涂层表面均匀平滑，电阻率约是刷涂热氧化法制备电极的1/3-1/4。Yao等采用化学气相沉积法(CVD)制备了Ti/