太赫兹(THz)物理、器件及其应用精品.pptVIP

THzQCL 焦热电探测器 离轴抛物镜 聚乙烯窗片 THz器件光功率测量 THzQCL器件工艺 热压键合： 0.5MPa，250oC, 30min 在n+GaAs衬底和样品表面蒸镀欧姆接触和键合用金属层。 热压键合 去除样品的半绝缘GaAs衬底 蒸镀上电极金属 刻蚀或腐蚀出条型激光器 制作下电极，解理并封装成激光器器件。 n+ GaAs 衬底 半绝缘 GaAs 衬底 Laser Structure 半绝缘 GaAs 衬底 Laser Structure 在n+GaAs衬底和样品表面蒸镀欧姆接触和键合用金属层 热压键合 去除样品的半绝缘GaAs衬底 制作上电极 刻蚀或腐蚀条型激光器 制作下电极，解理并封装成激光器器件 太赫兹物理、器件及其应用 太赫兹（THz）波 介于毫米波与红外光之间，频率在0.1-10THz（波长为3毫米-30微米）范围，又称T-射线 电磁波谱图 辐射能量越强 频率（Hz） THz波重要性 与X光相比，THz波能量低，不会破坏生物组织，具有很高安全性，适合安检和医学成像 与红外光比，THz特征光谱对很多大分子来说更易分辨，可很好地用于鉴别毒品和爆炸物等 与微波相比，THz成像分辨率更高；THz通信更保密、安全 海洛因THz吸收谱 2.4THz 机场安检 X光检测 THz成像 研究状况 美国： 国防部、空军、能源部(THz连续、大功率源) 航天局(THz遥感) 国家卫生学会(THz医学成像) DARPA 欧盟： StarTiger THz空间计划、遥感、成像 THz-bridge 生物医学诊断 Teravision THz成像器件、THz相机 日本： 列为十年战略规划首位。发展THz病理诊断、毒品和爆炸物检测技术等 中国 国家重大需求 国家重点管制类毒品THz谱 要害部门、场所安全监控 全国吸毒人员114万 北京2.6万 摇头丸 THz辐射有望成为一种新的 公共安全监控技术 THz振荡源: 自由电子激光器，气体激光器 Gunn振荡器，Bloch振荡器 电光晶体 半导体THz振荡器 THz量子级联激光器（THzQCL） THz探测器: 热辐射探测器 热电探测器 电光晶体 THzQWP 两个重大基础问题： UCSB的自由电子激光器 THz振荡器和探测器 各类THz源技术特点 自由电子激光器，同步辐射光源 输出频率覆盖范围宽 输出功率高 光束质量好 功耗高、体积庞大 CO2泵浦小分子气体THz激光器 输出频率准连续（更换工作介质可覆盖0.3-7.0THz） 输出功率50毫瓦 光束质量高 重量约70公斤 结构复杂；功耗约3千瓦 返波管（BWO） 输出频率范围1.11THz 输出功率1-10毫瓦 体积约0.5×0.4×0.5立方米 功耗600瓦；重量45公斤 飞秒激光泵浦、差频THz发生器 输出频率范围3.0THz 输出功率低毫瓦量级 功耗高、结构复杂、难于集成 Gunn振荡器 输出频率范围1.0 THz 高频段输出功率低（微瓦） P-Ge振荡器；半导体负有效质量振荡器；基于带内反射的THz振荡器；超晶格Bloch振荡器 新器件概念、原型器件阶段，无成熟器件、发展有很大不确定性 维吉尼亚公司产品技术参数 100-300 GHz 输出功率1-30mW 300-600 GHz 输出功率 0.1-8mW 600-900 GHz 输出功率 10-500微瓦 1.0-1.7 THz 输出功率 1-60微瓦 各类THz探测器技术特点 半导体肖特基二极管 体积小、重量轻 响应频段2.5THz 外差探测，需THz本地振荡源 超导体－绝缘体－超导体隧穿结探测器 体积小、重量轻 探测灵敏度高，逼近量子极限 响应频段1.5 THz 制冷温度约4K 需THz本地振荡源 Bolometer；Pyroelectric detector 探测率低 响应速度慢，通信速度提不上去 无光谱分辨本领 利用低维结构中THz引起的等离子体振荡 新器件概念，原理型器件阶段 THz量子阱探测器 按需设计响应频段 响应速度快 灵敏度较高 体积小、稳定、寿命长 制冷需求高（20-50K） 一、THz探测器与物理 二、THz激光器与物理 三、THz通信初步 THz量子阱探测器 (THzQWP) THz量子阱探测器（THzQWP） 按需设计响应频段 响应速度快 灵敏度较高 体积小、稳定、寿命长 需制冷 THz量子阱探测器特点 THzQWP主要工作 基于THz感生的碰撞离化模型，解释了THz场在低维半导体的吸收规律；合作研制了2-7 THz QWP Phys. Rev. Lett. 91, 237401 (2003) Phys. Rev. B 69, 165203 (2004). Appl. Phys. Lett. 84,