微电子器件原理-第2章 二极管精品.pptVIP

第二章 二极管 2.1 集成电路二极管 2.2 发光二极管 2.3肖特基二极管 2.4 PIN二极管 2.5变容二极管 2.6IMPATT二极管 2.7隧道二极管 2.1 集成电路二极管 最简单的 pn 结二极管 集成电路中隔离的结型二极管的平面工艺流程 电流集边现象 在p形衬底上扩散形成重掺杂的埋层 2.2 发光二极管 材料：直接带隙半导体, 如砷化嫁 机理：当电子从导带跃迁填充价带中的空位时 , 电子和空穴直接复合 , 动量不发生变化。适当地设计半导体结构 , 这一跃迁所释放的能量通常以光子的形式发射出去。 波长：与禁带宽度有关。 2.3 肖特基二极管 由于高的结电容，经典的PN结二极管不太适合于高频应用。肖特基二极管具有低的结电容量，因此可在更高频率下工作。 应用：射频检波器、混频器、衰减器、振荡 器和放大器。 与常规PN二极管具有不同的反向饱和电流机制，它取决于穿过势垒的多数载流子的热电子发射。 Si基肖特基二极管的剖面图 适用于很高频下应用的有附加绝缘环的肖特基二极管 2.4 PIN二极管 应用：高频开关，电阻范围从小于1?~10k? 的可变电阻器（衰减器），射频工作 信号可高达50GHz 。 电压是正向时，表现为受所加电流控制的可变电阻器。 电压是反向时，类似于平行板电容器 PIN二极管结构 PIN二极管中的电荷分布 2.5 变容二极管 负偏置条件下的PIN二极管 特定掺杂分布 特定中间层宽度 应用：微波电路的频率调谐；用于产生短脉冲 2.6 IMPATT二极管 IMPATT：IMPact Avalanche and Transit Time（雪崩渡越时间） 原理：类似于PIN二极管，在N+和P层之间的界面上的高场强通过碰撞电离造成载流子的雪崩 与 PIN二极管的区别：它有高的电场 应用：振荡 IMPATT二极管的特性 IMPATT二极管的外加电压、电离电流和总电流 当外加RF电压VA建立的电场超过临界阈值电平时，所产生的附加电离电流Iion 过剩的载流子必须行进穿过本征层到达P+层 电离电流和外加之间的相移被裁剪使之达到90oC 选择合适的本征层长度及适当的掺杂浓度，能产生90oC的附加时延。 2.7 隧道二极管 它有极高掺杂极窄的空间电荷区。结果造成电子和空穴超过导带和价带中的有效态密度。费米能级转移到N+层的导带和P+层的价带上去。 存在有限的概率使电子穿过窄隙进行交换 隧道二极管及其能带模型 隧道二极管的I-V曲线 在高正向电压偏置下隧道二极管的电流近似于PN结二极管的电流 隧道二极管的电流电压特性及与能带结构比较1 隧道二极管的电流电压特性及与能带结构比较2 隧道二极管的电流电压特性及与能带结构比较3 隧道二极管的电流电压特性及与能带结构比较4 * * *