光电子器件课件 第3章 光电阴极和光电倍增管精品.pptVIP

3.1.1 外光电效应 当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大时，它与物质相互作用，致使电子逸出物质表面，这种现象称光电发射效应，又称外光电效应 . 长波阈值或红阈波长 : 3.1.2 金属的光谱响应 其它金属的逸出功都大于碱金属，为了测量它们的光谱响应峰值，就需要更短的紫外光. 3.1.3 半导体的光电发射 将半导体光电发射的物理过程归纳为三步： (1) 半导体中的电子吸收入射光子的能量而被激发到高能态（导带）上； (2) 这些被激电子在向表面运动的过程中受到散射而损失掉一部分能量； (3) 到达表面的电子克服表面电子亲和势EA而逸出。 3． 克服表面势垒而逸出 到达表面的光电子能否逸出还取决于它的能量是大于还是小于表面势垒。 对于大多数情况（非简并半导体），能够有效吸收光子的电子高密度位置是在价带顶附近， 半导体受光照后能量转换公式为: 根据光电发射逸出功 的定义：在绝对零度时光电子逸出表面所需的最低能量，可得该半导体的光电逸出功： 对于金属光电逸出功: 这是因为在绝对零度时光电子处在最高能量即费米能级，金属逸出功多数要大于3eV，所以金属的光谱响应大多在紫外区。 所以对于半导体，其光电逸出功和热电子发射逸出功是不同的。对于杂质发射体，其光电子发射中心是在杂质能级上。 实际的半导体表面在一定深度内，其能带是弯曲的，这种弯曲影响了体内导带中的电子逸出表面所需的能量，也改变了它的逸出功。 3.1.4 实用光电阴极 金属光电发射的量子效率都很低，大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外范围，因此它们只能适用于要求对紫外灵敏的光电器件。 根据国际电子工业协会的规定，把NEA光电阴极出现以前的各种光电阴极,,按其发现的先后顺序和所配的窗材料的不同以S-数字形式编排，常称为实用光电阴极。下面简述常用的几种实用光电阴极的性能。 1.银氧铯光电阴极 银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极(S-1)是最早出现的一种实用光电阴极，它对可见光和近红外灵敏，早期在红外变像管中得到应用，在实用光电阴极中可用于红外探测。 特点: 它有两个峰值， 它在整个可见光及近红外都灵敏，阈值波长可达1.2μm 光谱响应极大值处的量子效率不超过1%，它的积分灵敏度， 对透射型的半透明阴极来说，一般为30~60μA/lm。 缺点 : 在室温下热电子发射较大，典型值在10-11~10-14A/cm2的范围内。 该阴极存在疲乏现象，即随所用时间增长，电子发射能力下降---光强愈强，疲乏愈厉害；光波愈短，疲乏愈严重，对红外线几乎观察不到疲乏；阳极电压增高，疲乏增大；温度降低，疲乏增大。 应用: Ag-O-Cs光电阴极的制备工艺简单、成本低，因此继续努力延伸它的长波阈值和提高它的红外灵敏度是有意义的，该类阴极在主动微光夜视仪器中获得了应用。 2．锑铯光电阴极 锑铯（Cs3Sb）光电阴极的型号主要有S-4，S-5，S-11，S-13等。由于这种光阴极的工艺和理论比较成熟，所以在光电管、光电倍增管中长期以来选用这种光电阴极。 特点: 锑铯光电阴极的光谱响应在可见光区，光谱峰值在蓝光附近，阈值波长截止于红光，其短波部分的光谱响应可达到紫外区，如图3-5。 它的灵敏度比Ag-O-Cs阴极高得多，积分灵敏度为100~150μA/lm，量子效率可达10~20%。暗电流约10-16A/cm2，疲乏效应比Ag-O-Cs阴极小。 锑铯光电阴极制备工艺比较简单，仅由Cs和Sb两种元素组成，结构简单。 几十年来，对这种光电阴极的成份和结构进行了较深的研究，所以Sb-Cs光电阴极是目前理论和工艺方面最成熟的一种光电阴极。 3．多碱光电阴极 锑铯光电阴极是锑与一种碱金属的化合物，也可称为单碱光电阴极。 当锑与几种碱金属形成化合物时，发现它具有与锑铯阴极更高的光电灵敏度，其中有双碱(如Sb-K-Cs, Sb-Rb-Cs等)，三碱(如Sb-Na-K-Cs)和四碱(如Sb-K-Na-Rb-Cs)等，二碱、三碱、四碱光电阴极统称为多碱光电阴极。 多碱阴极有S-20，S-25等类型 3.3 真空光电管3.3.1 真空光电管结构和工作原理 4．频率特性 真空光电管在光强度变化较慢，即在低频段工作时，光电流不受频率的影响。而在很高频率工作时，光电流将随频率的增大而减小，管子频率特性变差，这表明光电转换过程有惰性， 设入射光强 ，用负载上电压随频率的影响，表示其频率特性： (1) 热噪声 热噪声根源在于载流子的无规则热运动，因为任何导体或半导体的载流子在一定温度下都作无规则热动，所以它存在于任何导体或半导体中。 热噪声均方电流： (2) 散粒噪声 散粒噪声犹如射出的散