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1.片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法本发明公开了一种片式多层氧化锌压敏电阻陶瓷粉料制备方法，其组成（重量％）为：ＺｎＯ８８．０～９７．１％；Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］１．０～５．０％；Ｎｉ↓［２］Ｏ↓［３］０．２～１．０％；Ｃｏ↓［２］Ｏ↓［３］０．５～１．０％；ＴｉＯ↓［２］０．５～１．０％；ＭｎＯ↓［２］０．１～０．５％；Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］０．１～１．０％；ＢａＣＯ↓［３］０．１～０．５％；ＳｎＯ↓［２］０．１～０．５％；ＳｉＯ↓［２］０．１～０．５％；Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０．１～０．５％；ＺｒＯ↓［２］０．１～０．５％。本发明以氧化锌粉料为主，添加多种氧化物成分，作为添加剂，各种添加剂分别控制晶粒生长、形成晶界、控制电压梯度和漏电流。用此材料制作而成的压敏电阻其电性、机械性及可靠性等方面的性能大大提高，同时可以控制压敏电压可在１０Ｖ以下，漏电流５．０ｕＡ以下，具有优良的综合性能。 低温烧结ZnO多层片式压敏电阻器及其制造方法本发明公开了一种低温烧结ＺｎＯ多层片式压敏电阻器，一种低温烧结ＺｎＯ多层片式压敏电阻器，它是由ＺｎＯ瓷料和内电极层交错排布烧结而成，其特征在于：所述的ＺｎＯ瓷料的主要原料为平均粒径为０．１０～０．９９μｍ的ＺｎＯ亚微米粉体，所述的内电极层是钯－银内电极层，其中钯的比例占钯－银内电极重量的３～１０％，银的比例占钯－银内电极重量的９０～９７％，该ＺｎＯ