最新CMOS混合集成电路-01-课程介绍及CMOS工艺.pptVIP

* * MOS管大信号特性 ： * * CMOS混合集成电路课件 MOS管大信号特性 ： * * CMOS混合集成电路课件 MOS管大信号特性——线性区 ： * * CMOS混合集成电路课件 MOS管大信号特性——饱和区 ： * * CMOS混合集成电路课件 MOS管大信号特性——饱和区 沟道调制因子与沟道长度的关系 * * CMOS混合集成电路课件 MOS管大信号特性——饱和区 MOS管的弱反型区 * * CMOS混合集成电路课件 * * CMOS混合集成电路课件 课程概况 该课程是我们电子系IC设计方向的核心课程之一，它是我系本科开设的模拟CMOS集成电路设计的延伸和提高。前者的目标：培养学生具有初步的模拟集成电路分析能力和设计能力，了解模拟集成电路基本模块的分析方法和设计过程；本课程的教学目标： 2学分32学时：每周4学时X 8周（11-12 14-19） 上课时间：周三晚上9-10节（18：20～19:55)；周五下午7-8节（15：55～17：30）； 上课地点：西十二 N407 答疑时间：不设定具体的答疑时间和地点，有任何疑问可以通过电话和邮件联系！ 先修课要求 ??电路原理：Thevenin等效定理，基本电路分析 ??信号与系统：拉普拉斯变换和反变换，S域分析，极点与零点，系统稳定性 ??半导体器件：PN结，双极晶体管，MOS管 ??电子技术基础：交流