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IGBT 失效分析 IGBT Failure Analysis Field application Engineer Avnet 目录  1.失效分析简介  2.失效分析的主要方法及流程  3.失效分析统计  4.IGBT常见失效现象  5.IGBT存储条件 1. 失效分析简介  定义 通常是指对失效产品为寻找失效原因和预防措施所进行的一切技术活动  目的 改进客户产品质量，提高竞争力  分析内容 寻找故障点的位置，表征故障现象，确定导致故障的根本原因  分析手段 穷尽所能采用多种分析手段，直到找到故障的根本原因  挑战 分析周期，分析成本与准确性之间的平衡 2. 失效分析的主要方法及流程 2.1 分析流程 分析客户反馈的信息 外观检查 超声波显微镜 电性能分析 X射线检测 检测 去除塑料外壳 去除硅胶，去除绝缘钝化 层 液晶热点成像 高端仪器深入 光学显微镜检测 分析 分析 ：无损检测 分析、总结失效机理 ， ：破坏性检测 确定失效的根本原因 2. 失效分析的主要方法及流程 2.2 安富利在失效分析中处的位置  1.分析客户反馈的信息 了解IGBT现场失效情况，测试IGBT ，核实故障信息，给出合理建议。 如果可以解决，就不做FAR 完善失效资料填写反馈信息表FAR Form 和客户沟通，对Infineon测试提出要求  2.和Infineon品质部门沟通，解答疑问  3.追踪分析中FA进度，争取早点反馈  4.拿到报告后，和Infineon及客户三方沟通，争取让客户满意答复 3. 失效分析统计  3.1按照损坏领域区分 变频器客户占公司客户的大多 数，出货量很大；因此，相对处理的 失效分析数量较多。  3.2按照损坏情况分析 从09年4月至2011年6月底为止，一共处理处理FAR 分析共135例。其中与客户沟通协 调解决33例，实际送infineon分析102例。 3. 失效分析统计  3.3按照损坏情况分析 4. IGBT常见失效现象  4.1 IGBT集电极-发射极过压  4.2 IGBT门极-发射极过压  4.3 IGBT过电流脉冲  4.4 续流二极管正向过电流  4.5 IGBT超出反偏安全工作区  4.6 IGBT过温  4.7 震动产生的故障  4.8 陶瓷衬底裂痕  4.9 其他情况 4. IGBT常见失效现象 4.1 IGBT 集电极-发射极过压 在IGBT芯片周围出现大范围的烧毁的痕迹 序号 损坏可能的原因 建议的方法 1 关断浪涌电压 优化吸收回路 2 母线电压上升 增加母线电压保护 3 控制信号异常 优化驱动控制线路 4 外部浪涌电压（雷电浪涌等） 增加防雷电路 4. IGBT常见失效现象 4.2 IGBT 门极-发射极过压 门极bonding线或是集成门极电阻周围有烧毁的痕迹 序号 损坏可能的原因 建议的方法