《现代检测技术及仪表》第2版习题解答(第5章).pdfVIP

《现代检测技术及仪表》第2 版习题解答 孙传友 编 第5 章 5- 1 答：相同点：磁敏二极管和磁敏三极管都是 PN 结型的磁敏元件，都有本征区 I，本征 区 I 的长度较长，其一个侧面磨成光滑面，另一面打毛。粗糙的表面处容易使电子—空穴对 复合而消失，称为 r(recombination)面(或 r 区)， 不同点：磁敏二极管的结构是在高阻半导体芯片(本征型)I 两端，分别制作 P、N 两个 电极，形成 P-I-N 结。当磁敏二极管未受到外界磁场作用时，外加正偏压，则有大量的空穴 从 P 区通过 I 区进入N 区，同时也有大量电子注入P 区，形成电流。当磁敏二极管受到外界 磁场 H+(正向磁场)作用时，电子和空穴受到洛伦兹力的作用而向 r 区偏转，由于r 区的电 子和空穴复合消失速度比光滑面 I 区快，因此形成的电流因复合速度快而减小。当磁敏二极 管受到外界磁场 H- (反向磁场)作用时，电子—空穴对受到洛伦兹力作用向光滑面偏转，电 子—空穴的复合率明显减小，因而形成的电流变大。磁敏二极管反向偏置时，仅流过很微小 电流，几乎与磁场无关。 磁敏三极管的结构是在弱 P 型近本征半导体 （本征区 I）上，用合金法或扩散法形成三 个结，即发射结、基极结、集电结。当磁敏三极管未受到磁场作用时，基极电流大于集电极 电流，使 β=Ic/Ib1。受到正向磁场(H+)作用时，洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧，导 致集电极电流显著下降，当反向磁场(H-)作用时，载流子向集电极一侧偏转，使集电极电流 增大。 5-2 题 5-2 图 简易高斯计电路图 解：图中左侧虚线框内是两对互补的磁敏二极管，四只温度特性一致的磁敏二极管按磁 场极性互相相反组成磁敏桥作为探头，探头通过导线与机身插接。插接开关为量程选择开关， 接入 8 个不同的电阻，得到 8 个不同的量程。两只晶体管组成差分放大电路。 没有磁场时(H ＝0)，磁敏桥平衡无输出。加磁 H 时，磁敏桥有输出电压加在差分对管 + 基极上，集电极电位发生变化，有电流通过电表。使表针指示所测磁场强度值。当加磁场 H 时，由于磁场方向与H 加时相反，表针向 “0 ”位置反方向偏转。 - + 5-3 题 5-3 图 光敏二极管光控开关电路 解：题 5-3 图(a)是亮通光控电路。当有光照射时，光敏二极管的阻值变小，VT 、VT 1 2 导通，继电器 K 工作，从而带动执行机构。图(b)是暗通光控电路，当有光照射时，光敏二 极管的阻值变小。VT 、VT 截止，继电器 K 不工作；只有当无光照时，VT 、VT 才导通， 1 2 1 2 继电器工作。 5-4 解：采用图5－1- 16(a)所示温敏硅二极管电桥和测量放大器及数字电压表组成的数字温 度计电路如题 5-4 图所示。