八MOS场效应晶体管的基本特性精品.pptVIP

练习 P127 17，18 P142 1，3，4 练习 P143 12 可以用相似的方法讨论N沟道耗尽型， P沟道增强型，P沟道耗尽型MOSFET的输出特性曲线，它们分别如图8-12（b）~（d）所示。 MOSFET的转移特性曲线 MOSFET是一种电压控制器件，它是利用加在栅极和源极之间的电压来控制输出电流的，这和双极型晶体管用基极电流控制集电极电流是不同的。当MOS晶体管工作在饱和区时，工作电流为IDSS。不同的VGS会引起不同的IDSS。我们将IDSS与VGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。 对于N沟增强型MOS管，VT0，VGS0，其转移特性曲线如图8-13（a）所示。 用相似的方法可以得到N沟耗尽型，P沟增强型，P沟耗尽型MOSFET的转移特性曲线，它们分别表示于图8-13（b）~（d）。 8.3 MOSFET的阈值电压 N沟道增强型MOSFET的开启电压VT 对于增强型管，VT0 式（8-1） N沟道耗尽型MOSFET的夹断电压Vp （8-1）也适合于N沟耗尽型管 这时VT显然小于零。这说明在栅极电压为零即未加电压时，表面沟道已经存在。因此，这时的开启电压实际上就是夹断电压，通常用Vp表示。对于N沟耗尽型MOSFET，Vp0，即当栅极电压VGS＝-|Vp|时即能开启。栅极电压再负得多些时，沟道截止