半导体中载流子在电磁场中的运动精品.ppt

第四章 思考题与自测题 试从经典物理和量子理论分别说明散射的物理意义。 比较并区别下述物理概念：电导迁移率、霍耳迁移率和漂移迁移率。 什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？ 强电场作用下，迁移率的数值与场强E有关，这时欧姆定律是否仍然正确？为什么？ 半导体的电阻系数是正的还是负的？为什么？ 有一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。 如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高？为什么？ 光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？ 说明本征锗和硅中载流子迁移率温度增加如何变化？ 电导有效质量和状态密度有何区别？它们与电子的纵有效质量和横有效质量的关系如何？ 对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？ 解释多能谷散射如何影响材料的导电性。 解释p型半导体霍耳系数改变符号的原因。 何谓霍耳角？与磁感应强度和载流子迁移率的关系如何？ 第四章 习题 P125 第2、3、7、16题 P355 第1题 设： 试证明： （1）半导体电导率取极小值σmin的条件是： （2） 其中σi是本征半导体的电导率，b μn/μp 补充题 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ Ex Bz I - + z y x 三、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH