半导体压敏电阻器精品.ppt

B为晶界绝缘层的厚度，NT为陷阱密度，?为介电系数 由上式（4—3—5）可见，VTE与 NT成比例增加，而NT是对成分和工艺敏感的物理量，因此，由该理论应得出击穿电压对成分和工艺敏感的结论。 但是人们对晶界层的组成，结构及其压敏电压的大小的测量进行了大量的工作，结果发现压敏电压对成分和工艺并不敏感，这与空间电荷限制电流所预言的结果相反。 也就是说，这个理论不能解释压敏电压对成分和工艺的迟钝性，不过，这一理论在解释附加剂形成陷阱对非线性的影响方面还是适合的。 2．第二阶段以Levison提出的肖特基发射和Fowler-Naedhein隧道效应为标志。 这一理论把伏安特性分成两段，分别用肖特基发射和隧道效应的场发射来说明。 虽然这个理论解释许多实验观察到的现象，但它的致命缺点是必须假定晶界相的厚度须小于200?以适应隧道效应的要求，且由于理论本身的缺陷，而无法预示大于50的特高a值 3．第三阶段以Levine提出的连续的双肖特基势垒模型为起点，以Hower等提出的分离的双肖特基势垒的表面控制理论为标志。 一九七五年Lvine以紧靠在一起的两个肖特基势垒为背景来说明非线性的根源，从而才开始摆脱了晶界相包复ZnO晶粒的困扰，可是该模型又采用热离子发射理论，而不能给出a大于25的结果。 一九七八年，Kazuo提出了分离的双肖特基势垒模型，以解释伏安特性的脱变现象，虽然这个模型仍以品界相为