半导体材料-硅锗晶体中的杂质精品.pptVIP

1．非平衡自间隙原子模型 皮特洛夫 Petroff 和迪考克用透射电子显微镜观察到，A型漩涡缺陷是平均尺寸为1μm的单个位错环，或者是位错环组成的团，并认为多数位错环是插入型的非本征环，少数环是抽出型的。 尽管采用了非常精确的实验技术，但迄今一直未能分辨出B型缺陷的实质。多数研究者认为它不大可能是位错环，而是一种尺寸更小、晶格畸变强度更弱的缺陷。 微缺陷形成原因 2．平衡自间隙原子模型 弗尔等人利用高压透射电子显微镜也证明了A型缺陷是位错环，其特征与迪考克等人所观察到的没有本质上的差别。但弗尔等人认为所观察到的位错环都是非本征型的插入环。 弗尔等从硅晶体中的自扩散，淬火及辐照损伤的实验结果和点缺陷的形成能的计算中得出，在高温下晶体中的平衡点缺陷主要是硅的自间隙原子而不是空位。因为在熔点附近盼高温下，硅自间隙原子的形成熵和迁移熵都相当高，使这些自间隙原子呈现扩展组态，即点缺陷已不是一个原子尺度，而是扩展成包括几个原子间距的微小区域；这些呈现扩展组态的自间隙原子和碳等杂质原子聚集形成B型缺陷。当这种聚集棒达到足够大时，便崩塌转变成A型缺陷。 除上述模型外，也有人提出过液滴模型、Si4C4络合体及纯空位模型等，但到目前为止尚未建立统一的理论来解释硅单晶中微缺陷形成的机制。 4-4-3减少微缺陷的方法 1 在拉制硅单晶过程中，采取适当措施可以避免微缺陷的产生： ①降低单晶中的碳含量。实验