具有快速瞬态响应和低静态电流的cmos低漏失稳压器-element14.pdfVIP

第 5期 电 子 学 报 v01．37 No．5 2009年5月 AC-rA眦 CIR0NICA s1NICA M 2O09 具有快速瞬态响应和低静态 电流的CMOS低漏失稳压器设计 李演明 ，一，来新泉 ，贾新章 ，曹 玉 ，叶 强 (1．西安电子科技大学电路CAD研究所，陕西西安710071；2．西安电子科技大学微电子研究所，陕西西安710071) 摘 要： 设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器，利用提出的一种瞬态响应加速(TransientResponse Enhancement，TRE)电路，有效地提高了稳压器的瞬态响应速度 ，而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流 ．设计的 LDO电路采用O．5tnn标准 CMOS工艺投片验证，芯片面积为0．49 ．该 [DO空载下的静态电流仅 23 ，最大带载 200mA．在 1 输出电容、200mA／100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3．5％． 关键词 ： 线性稳压器；低漏失稳压器；快速瞬态响应；电源管理 Ic 中图分类号 ： TN432 文献标识码： A 文章编号： 0372．2112(2009)05．1130-06 A Fast—TransientResponseandLow—QuiescentCurrentCMOS Low—DropoutRegulator LIYan—ming ，LAIXin．quan，J]AXin．zhang2，CAOYu，YEQiang (1．InstituteofElectronicCAD，XidianUniversity， ’an，Shaar~i710071，China； 2．MicroelectronicsInstitute，XidianUniversity，m ’∞，Shaanx／710071，Chn／a) Abstract： Alow-dropoutregulator(LDO)withfast-transientresponsespeedispresentedbyufili~ngtheproposedtransient responseenhancement(Ⅱ )circuit，whichdoesn’tbringhtequiescentcurrentincrease． proposedU)0hasbeenfabricatedin a0．5tanstandardCMOSp／XgCeSS，andhtedieareais0．49mn~． 1eproposedLDodissipates23 quiescentcurrentatno-load conditionandiSabletodeliverup幻200mA loadcurrent．WiⅡlal outputcapacitor，themaxilnulllWansientoutput-voltagevaria- doniswithin3．5％ ofhteoutputvoltagewiht loadstepchangesof200mA／100ns． Keywords： linearregulator；low—dropoutregulatro (LDO)；fast-lransientresponse；powermanagementICs 输出电压的瞬态响应速度 ．为了消除传输 MOS管栅极 1 引言 寄生电容的影响，通常的做法是在增益级和传输 MOS 近年来，由于具有低噪声、高精度的优点，低漏失稳 管栅极之间增加一个缓冲级 (Buffer)，这样就减小了驱 压器(I~w-DropoutRegulator，I_DO)被广泛应用于电池供 动级的输出阻抗 ，从