最新半导体器件物理课件第八章.pptVIP

8.3.2量子效率 2.辐射效率 发生辐射复合的电子数与总的注入电子数比： （8-18） （8-17） （8-16） （8-19） 8.3.2量子效率 三种可能的复合过程 图8-13三种可能的复合过程 浅施主能级 浅受主能级 深复合中心 8.3.2量子效率 带—带复合过程和非辐射复合过程相竞争： （8-21） 以 和 为竞争机制 ： （8-22） 8.3.2量子效率 根据（8-21）式，欲提高 ，可采用的方法是减少复合中心密度和增加P区的掺杂浓度，而且较高的 还有降低串联电阻从而减小正向电压降和欧姆损耗的作用。然而，高的掺杂浓度使得晶体缺陷增加，导致非辐射复合中心 的增加。同时，在讨论注射效率时已经指出，P侧的高掺杂会使注射效率下降。以上分析已为实际所证实。实际证明，对于 LED,外部测得的峰值效率发生在 =2.5 cm-3处。 8.3.2量子效率 根据以上分析，内量子效率可以写作