最新半导体物理(第二章).ppt

一、二章测验 1.请写出两章中至少5个重要的概念名称。 2.某三维各向异性的半导体材料，导带底能量为Ec，导带极小值位于(0,k0y,0)处，请自己定义其电子有效质量，并描写出导带底附近的E(k)～k关系式。 3.在某半导体材料中同时均匀地掺入2×1017cm-3的砷原子和1×1017cm-3的硼原子，回答以下问题： ⑴材料是N型还是P型半导体？画出能带示意图。 ⑵若该半导体的禁带宽度为0.67eV,请描述出其导带底附近的能带结构特点。 4.在PbS化合物半导体材料中，若分别存在VPb、Vs、Pb间隙原子和S间隙原子时，材料的导电类型各是什么情况？ * * 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 实际材料中 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 晶体中杂质来源 由于纯度有限，半导体原材料所含有的杂质 半导体单晶制备和器件制作过程中的污染 为改变半导体的性质，在器件制作过程中有目的