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4.1.3 半导体的电导率和迁移率 若在半导体两端加上电压，内部就形成电场，电子和空穴漂移方向相反，但所形成的漂移电流密度都是与电场方向一致的，因此总漂移电流密度是两者之和。 T＝300K时，低掺杂浓度下的典型迁移率值 例1.计算在已知电场强度下半导体的漂移电流密度。室温（T＝300k）时，GaAs的掺杂浓度为：NA=0,　ND=1016cm-3.设杂质全部电离，电子和空穴的迁移率μn=8500cm/Vs,μp=400cm/Vs。若外加电场强度为E=10V/cm,求漂移电流密度。 解：因为NA=0, 为n型半导体，T=300K，载流子浓度为： 　　　　n0 ≈ ND ≈1016cm-3 ni=1.8X106cm-3 少数载流子空穴的浓度为： 例2　已知本征Ge的电导率在310K时为3.56×10-2S/cm，在273K时为0.42×10-2S/cm。一个n型锗样品，其施主杂质浓度ND=1015cm-3。试计算在上述温度时掺杂Ge的电导率。（设μn=3600cm/Vs,μp=1700cm/Vs.） 解：本征材料的电导率为：　　　　 当外电场作用于半导体时，载流子一方面作定向漂移运动，另一方面又要遭到散射，因此运动速度大小和方向不断改变，漂移速度不能无限积累，也就是说，电场对载流子的加速作用只存在于连续的两次散射之间。 因此上述的平均漂移速度 是指在外力和散