适应直流偏磁抑制装置接入的零序电抗继电器动作特性分析.pdfVIP

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2016-02-24 发布于安徽
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适应直流偏磁抑制装置接入的零序电抗继电器动作特性分析.pdf

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37 卷 10 期电网技术 Vol. 37 No. 10 20 13 年10 月 Power System Technology Oct. 2013 文章编号：1000-3673 （2013 ）10-2926-06 中图分类号：TM 77 文献标志码：A 学科代码：470 4051 适应直流偏磁抑制装置接入的零序电抗继电器动作特性分析 1 2 3 1 郑涛，朱先启，徐振栋，刘连光 1．新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) ，北京市昌平区 102206； 2．合肥供电公司，安徽省合肥市 230022； 3．山东能源集团有限公司，山东省济南市 250014 ） Analysis of the Performance Characteristic of Zero-sequence Reactance Relay Designed to Accommodate DC Bias Suppression Device Access 1 2 3 1 ZHENG Tao , ZHU Xianqi , XU Zhendong ,LIU Lianguang (1.State Key Laboratory for Alternate Electrical Power System With Renewable Energy Sources (North China Electric Power University), Changping District, Beijing 102206, China; 2.Hefei Power Supply Company, Hefei 230022, Anhui Province, China; 3. Shandong Energy Group Co.,Ltd., Jinan 250014, Shandong Province, China) ABSTRACT: The impacts of grid-connected resistance-type of 入后的线路不对称故障进行有效保护。 DC bias suppression devices on distance relay of transmission 关键词：电阻型直流偏磁抑制装置；零序电抗继电器；相间 line is analyzed in this paper. Based on the analysis of 阻抗继电器 mal-operation of distance relay caused by the insertion of DC bias suppression devices, a protective scheme which combines 0 引言 zero sequence reactance relay with phase-to-phase impedance 高压直流输电(HVDC)和地磁感应电流(GIC)是 relay has been put forward