最新半导体工艺原理光刻工艺(贵州大学).ppt

E-Beam Used for making mask and reticles Smallest geometry achieved: 0.014 mm Direct print possible, no mask is required – Low throughput Scattering exposure system (SCALPEL) looks promising – Tool development – Reticle making – Resist development 光刻总结 光刻：临时的图形转移过程 IC生长中最关键的工艺 需要：高分辨率、低缺陷密度 光刻胶：正和负 工艺过程：预烘、底胶旋涂、PR旋涂、前烘、对准曝光、后烘PEB、显影、坚膜、检测 下一代光刻技术：EUV和电子束光刻 结合教材P131讲解胶与掩膜版的结合使用。 对照P135页解释 上个世纪70年代中期以前，负胶占统治地位 光刻胶类型的转变需要一个全新的光刻工艺。 光刻胶类型的转变需要一个全新的光刻工艺。 光刻胶类型的转变需要一个全新的光刻工艺。 光刻胶流动Photoresist Flow 过坚膜会引起太多的光刻胶流动，影响光刻的分辨率 正常坚膜 过坚膜 问题 如果涂胶时用错光刻胶，会发生什么问题？ 每种光刻胶都有不同的敏感性和粘性，都需要不同的旋转速率、斜坡速率、旋转时间、烘干时间和温度、曝光强度和时间、显影液和显影条件，因此图形转移将失败。 光刻－图形检测Pattern Inspection ? 检查发现问题，剥去光刻胶，重新开始 – 光刻胶图形是暂时的 – 刻蚀和离子注入图形是永久的 ? 光刻工艺是可以返工的 ? 刻蚀和注入以后就不能再返工 ? 检测手段：SEM、光学显微镜 问题 为什么不能用光学显微镜检查0.25um尺寸的图形? 因为特征尺寸 (0.25 mm = 2500?) 小于可见光的波长，可见光波长为3900 ? (紫光) to 7500 ? (红光) 图形检测 未对准问题：重叠和错位 - Run-out, Run-in, 掩膜旋转，圆片旋转，X方向错位，Y方向错位 临界尺寸Critical dimension (CD) 表面不规则：划痕、针孔、瑕疵和污染物 未对准问题 临界尺寸Critical Dimension 图形检测 通过图形检测，即可进入下一步工艺 刻蚀或离子注入 光刻间全部流程 未来趋势 Future Trends 更小特征尺寸 Smaller feature size 更高分辨率 Higher resolution 减小波长 Reducing wavelength 采用相移掩膜 Phase-shift mask 光衍射 光衍射影响分辨率 光衍射的减小 波长越短，衍射越弱 光学凸镜能够收集衍射光并且增强图象 数值孔径 Numerical Aperture NA NA：表示凸镜收集衍射光的能力 NA = 2 r0 / D r0 ： 凸镜的半径 D ：目标与凸镜的距离 NA越大，凸镜收集更多的衍射光，产生更尖锐的图形 分辨率 Resolution 能重复得到最小特征尺寸 The achievable, repeatable minimum feature size 被光源的波长和系统的孔径确定 Determined by the wavelength of the light and the numerical aperture of the system. The resolution can be expressed as：R=K1λ/NA K1 is the system constant, λis the wavelength of the light, NA = 2 r0 /D, is the numerical aperture NA: capability of lens to collect diffraction light 举例1 K1 = 0.6， R=K1λ/NA 提高分辨率 Increase NA – Larger lens, could be too expensive and unpractical – Reduce DOF（焦深） and cause fabrication difficulties Reduce wavelength – Need develop light source, PR and equipment – Limitation for reducing wavelength – UV to DUV,