接触型直写光刻技术调研创新.pptVIP

研究背景 21世纪必将是纳米科技的时代。纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一, 由于光刻的高生产率，光刻已经成为一个制作微纳结构的强大工具。为了提高其能力,光刻技术已经向两个主要方向发展:高分辨率,高生产量和高速光刻。 传统的远场光刻由于受衍射极R=λ/2NA(λ是入射光波长,NA是数值孔径)的限制, 虽然可以通过减小λ和增大NA提高分辨率,但是其依然面临技术和成本的困难。远场光刻从根本上无法突破衍射极限的限制,近场光学的分辨率不受衍射极限的限制。为了克服衍射极限，研究人员尝试基于近场光刻开发新的光刻过程。研究表明采用亚波长孔径的近场光刻系统可以比远场光刻系统具有更强的光透射量和更好的光学分辨率。而且近场光刻头直写光刻方法，还具备可以在不同位置施加以不同剂量的光强，从而得到在二维直写中体现出第三维差异的图形的优势，这是传统光刻方法难以实现的。由于直写头的灵巧性，甚至可以直接应用于三维结构的直写中。 研究现状 韩国延世大学的一个研究小组采用了两种方案：两者都采用了装有固体浸没透镜（SIL）的铝薄膜上的领结（bowtie）形状高透射能量纳米孔隙，不同的是 1)一种是非接触式探针光刻方案，在孔隙上覆盖以电介质保护层，保护层的厚度规定了光刻探头与光刻胶的间距，再用差距信号控制器控制孔隙与光刻胶的间距，达到的最高光刻速度200m