sb掺杂sno薄膜的溶胶凝胶法制备及性能研究.pdfVIP

摘 要 本文在分析大量国内外文献的基础上 对ATO 导电材料的性能与应用及其制备 方法进行了综述 SnO2 薄膜作为新型功能材料 在现代技术领域得到了广泛的应用 在此基础上 确定了采用溶胶 凝胶提拉法制备SnO2 薄膜的工艺 以无机金属盐SnCl· H O 和SbCl 为原料 采用溶胶凝胶提拉法制备得到组成 2 2 3 微观结构 电学性能良好的掺锑SnO2 薄膜 本文系统研究了热处理温度 薄膜厚度和 Sb 掺杂浓度对 SnO2 薄膜微观结构 薄膜组成的影响 并分析了薄膜的形成机理和导电机理 溶胶凝胶法制备的SnO2 薄 膜热处理温度在500°C 550°C 之间较为合适 随着热处理温度的提高和薄膜厚度的 增加 SnO2 薄膜结晶性提高 晶粒长大 发育良好 但薄膜的厚度和掺杂浓度可能 会恶化薄膜表面的平整度 在500°C 下形成的SnO2 薄膜晶粒主晶相是四方相金红石 结构 也存在微量的斜方相SnO 晶型结构 对溶胶凝胶提拉法制备的 SnO2 薄膜电学性能的研究表明 适量的 Sb 掺杂 10at 能显著提高薄膜的导电性能 在掺杂浓度(Sb/Sn)为10at 提拉涂膜为5 层 经过500°C 干燥固化热处理后得到的 SnO2 Sb 薄膜 其方块电阻可达 150Ù/ 但 是过量的掺杂会导致导电性能的下降 在以上的基础上 讨论了掺杂锑的二氧化锡透明导电薄膜的掺杂含量问题 建立 模型并给出理论表达式 得出理论计算的掺杂含量值 关键词: 溶胶 凝胶法 ATO 镀膜玻璃 方块电阻 I ABSTRACT The properties, applications and preparation of antimony-doped tin oxide(ATO) thin films are reviewed on the basis of studying lots of literature at home and abroad. ATO have a range of technical applications as conductive coating, and sol- gel processing seems to offer a number of advantages over other coating techniques. In this paper, sol- gel dip coating method is determined to prepare SnO thin films. 2 Using metal salts SnCl· H O and SbCl as precursors, thin films of antimony-doped 2 2 3 tin oxide with good microstructure and electrical properties have been deposited by the sol-gel dip coating method. It has been found that the heat-treatment temperature, film thickness and doping level have strong influence on the microstructure and composition of SnO films. The optimum