模拟电子技术基础第五章BJT三极管及其放大电路摘要.ppt

5.1 BJT 5.2 基本共射极放大电路 5.3 BJT放大电路的分析方法 5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题 5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较 5.7 多级放大电路 5.8 光电三极管 5.1 BJT 5.1.1 BJT的结构简介 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 5.1.4 BJT的主要参数 5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 5.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 集成电路中典型NPN型BJT的截面图 5.1.2 放大状态下BJT的工作原理 现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系，见下图。 IEN ICN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN – ICBO = IEP + IEN - ICN –ICBO = IE - IC 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 1. 内部载流子的传输过程 注意图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。为此可确定三个电极的电流 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 IE=IC+IB 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IC= INC+ ICBO 通常 IC ICBO IE=IB+ IC 放大状态下BJT中载流子的传输过程 且令 3. 三极管的三种组态 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。 (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； BJT的三种组态 共基极放大电路 4. 放大作用 电压放大倍数 vO = -iC• RL = 0.98 V， 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。即表现为很小的发射结电压的变化引起较大的电流变化。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 5.1.3 BJT的V-I 特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const. (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 导通电压典型值：硅0.7V 锗 0.3V 死区电压典型值：硅0.5V 锗 0.1V 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 iC=f(vCE) iB=const. 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 例：测量三极管三个电极对地电位如图 03.23所示，试判断三极管的工作状态。 例：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 1. 电流放大系数 5.1.4 BJT的主要参数 (2) 共发射极交