GaN-MOCVD设备MO源注入摩尔流量的精确控制.pdfVIP

- 电 子 工 业 毫 用 设 备 材料制造工艺与设备 GaN—M0CVD设备 MO源注入摩尔 流量的精确控制 刘 欣，魏 唯，陈特超 (中国电子科技集团公司第四十八研究所 ，湖南 长沙4101l1) 摘 要 ：分析 了GaN—MOCVD设备 中MO源注入摩 尔流量控制的基本原理 ，给 出了决定 MO源 注入摩 尔流量的三个重要条件 ，然后针对于 GaN—MOCVD 中5种常用的金属有机源 ，根据工艺 生长的需要 ，分别给 出了MO源注入摩 尔流量精确控制的解决方案。 关键词 ：半导体设备 ；GaN一金属有机化学气相沉积；金属有机化合物源；注入摩尔流量 中图分类号：TN305．3 文献标识码 ：B 文章编号：1004—4507(2015)06-003l一05 AccurateControlofMoSourceInjectedMol Flow ofGaN—M oCVD LIU Xin，WEIW ei，CHEN Techao (The48ResearchInstituteofCETC，Changsha401111，China) Abstract：ThearticleanalysesbasicprincipleofcontrolofMO sourceinjectedotolflow of GaN—MOCVD，andgivesthreeimportantconditionofdecidedMOSourceInjectedMolFlow．Thento five familiarmetalorganic source ofGaN—MOCVD，based of demand oftechnology growth， respectivelygivessolutionofaccuratecontrolofMOsourceinjectedmolflow． Keywords：Semiconductorequipment；GaN—MOCVD；MOsource；injectedmolflow MOCVD(MetalOrganicChemicalVaporDepo— 所需产物沉积在外延衬底表面形成所需要的外延 sition)是生长高质量半导体薄膜材料的技术 ，在 层 ，外延层 的晶相、成长速率 以及组成成分会受到 LED、半导体激光器、太阳能电池等多个领域都有 温度 、压力 、反应物种类 、反应物浓度 、反应时间、 应用 。现有MOCVD设备的成本非常高，且完全依 外延衬底材料、外延衬底表面性质等诸多因素的 赖进 口，进行 MOCVD设备研究对 国内半导体产 影响。其 中反应物浓度 的控制是非常关键 的一环， 业、新能源领域 以及 国防高端技术的发展都很有 对于 GaN基半导体材料的生长，常用的金属有机 必要 。MOCVD利用气相反应物之间化学反应将 源反应物有 5种 ，分别是TMGa，TMAI，TEGa， 收稿 日期 ：2015-03．12 材料制造工艺与设备 电 子 工 业 毫 用 设 备 - TMIn，Cp2Mg，它们在 MOCVD 中作为反应物参 (1)MO源载气的气体流量 ； 与反应生长 出多组分、大面积 、薄层和超薄层异质 (2)在设定温度下材料的蒸汽压力； 材料 。在 GaN．MOCVD 中，通过载气携带并注入 (3)钢瓶起泡器 内的绝对压力。 到反应室的MO源注入摩尔流量是直接影响外延 见图 1液态MO源供给 图，图2固态MO源 层薄膜生长的组分和质量的关键因素[1]。 供给 图。载气的流量通过源瓶上游的 MFC来控 本文