MoS2ZnO异质结的光电特性.pdfVIP

第 35卷 第 1O期 物 理 实 验 Vo1．35 NO．1O 2015年 1O月 PHYSICSEXPERIM ENTATION 0ct．，2015 MoS2／Zno异质结的光 电特性 朱 芸 ，米文俊 ，马金楼 ，王 强，马锡英 实 验 教 学 (苏州科技学院数理学院，江苏 苏州 215011) 摘 要 ：采用化学气相沉积法在 Si衬底上先后沉积 了 Ag掺杂 的MoSz薄膜和 Ag掺杂的 ZnO薄膜 ，形成 MoS2／ ZnO异质结．研究了薄膜的表面形貌、晶体结构、光吸收特性和 电学特性，对 比分析了MoS2／ZnO异质结的光吸收特性 和有无光照下的 }v特性 ，并对其导 电机理进行 了研究．实验结果表明：Mos2和 ZnO薄膜表面均匀平整 ，结晶度较好 ； Ag掺杂的MoS 和 Ag掺杂的ZnO的薄膜具有较高的电子迁移率 ，分别为 1．57×10。cm。／(V ·s)和 6．17×10。cm。／ (v ·s)；MoS2／ZnO异质结具有较好 的整流效应和光电响应特性． 关键词 ：MoS ／ZnO异质结；化学气相沉积 ；能带结构 ；光 电特性 ；迁移率 中图分类号：0484．4；TB383 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—4642(2015)10—0001—05 近年来 ，宽禁带半导体异质结在太阳能电池 、 (XRD)分析样品能谱 ，用分光光度计研究样 品的 发光二极管、光电探测、短波光电器件 以及显示技 反射率 ，观察 了光照下 MoS。／ZnO异质结 的 术等众多领域 的应用开发成 了人们研究的热 特性 ，并且对其光电特性、载流子输运特性及导电 点口]．硫化钼 (MoS。)在某些特定的情况下呈现 机理进行研究．本文中出现的MoS 薄膜和 ZnO 间接带隙(1．2eV)和直接带隙(1．8eV)2种状 薄膜都是指掺 Ag的MoSz薄膜和掺 Ag的ZnO 态[4_8]，从而在光电器件领域具有应用前景，如放 薄膜． 大器和逻辑器件等．氧化锌 (Zno)是一种稳定 的 1 实 验 宽带隙半导体材料 ，激子束缚能为 60meV，易实 现高效率受激发射，是制作量子效率高、激发阈值 以硫化钼粉末 、醋酸锌粉末为原料 ，分别采用 低 的光 电子器件的理想材料． 石英 、重掺杂的硅作为衬底 (除测吸收特性曲线时 吴晨等人对 MoS 薄膜进行银掺杂 ，发现银 采用石英衬底 ，其他的制备和测试都是硅衬底)， 掺杂对其光电特性有较大的影响，使其结晶度更 利用化学气相沉积 (CVD)法制备 MoS／ZnO异 好 、反射率降低和光吸收增强 ，进而提高器件的光 质结薄膜．实验装置由5部分组成 ：进气系统、恒 电转换效率[9]．张浩等人[】。]对 ZnO进行铜掺杂 ， 温水浴箱、气体流量计 、温控加热系统和抽真空系 发现光吸收强度明显增强 ，光发射峰更加丰富；另 统 ，如 图 1所示．首先将切好 的硅衬底浸泡在稀 外 ，铜掺杂对 ZnO薄膜的表面伏安特性也有很大 HF酸中去除表面的二氧化硅 ；然后将石英片和 的影响．稀土元素掺杂 的ZnO在紫外光 、蓝绿光 硅片放入装有乙醇和去离子水的超声波清洗机 中 波段的辐射更加丰富，使 ZnO可广泛应用到紫外 清洗 ，去除衬底表面的杂质 ；再将清洗后的衬底用 探测器、发光二极管、激光 、表面声波材料 、气体传 N 气吹干放入石英管． 感器 、太阳能 电池 以及缓冲层等领域L1 ]． 实验分两步骤 ：先在硅衬底上沉积掺 Ag的