RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响.pdfVIP

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2016-02-27 发布于天津
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RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响.pdf

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２０１５年河北大学学报（自然科学版）２０１５第卷第期（）３５３ＪｏｕｒｎａｌｏｆＨｅｂｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎＶｏｌ．３５Ｎｏ．３　ｙ：／ＤＯＩ１０．３９６９．ｉｓｓｎ．１０００１５６５．２０１５．０３．００４ｊＲＦ磁控溅射沉积压强对ＩｎＧａＺｎＯ４薄膜特性的影响闫小兵，史守山，娄建忠，郑树凯，曹智（河北大学电子信息工程学院，河北省数字医疗工程重点实验室，河北保定　０７１００２）摘要：采用射频（）磁控溅射沉积方法，在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较ＲＦ　　　好电学性质的透明氧化物半导体（）薄膜，并对薄膜进行线衍射（）、生长速率、电阻率ＩｎＧａＺｎＯＩＧＺＯＸＸＲＤ４和透光率的测试与表征结果表明，实验所获样品薄膜为非晶态，薄膜最小电阻率为．ＩＧＺＯ－３ · 根据光学性能测试结果，薄膜在的紫外光区有较强吸收，在１．３×１０ｃｍ．ＩＧＺＯ２００３５０ｎｍ４００ Ω ～～９００ｎｍ的可见光波段的透过率为７５％９７％．～关键词：；沉积压强；光学性质；电学性质ＩＧＺＯ中图分类号：文献标志码：文章编号：（）ＴＢ３２Ａ１０００１５６５２０１５０３０２４３０４　　　　　　犐狀犳犾狌犲狀犮犲狅犳犱犲狅狊犻狋犻狅狀狉犲狊狊狌狉犲狅狀狅狋犻犮犪犾犪狀犱犲犾犲犮狋狉犻犮犪犾狉狅犲狉狋犻犲狊狅犳狆狆狆狆狆犐犌犣犗犳犻犾犿狊犳犪犫狉犻犮犪狋犲犱犫狉犪犱犻狅犳狉犲狌犲狀犮犿犪狀犲狋狉狅狀狊狌狋狋犲狉犻狀狔狇狔犵狆犵，，，，ＹＡＮＸｉａｏｂｉｎＳＨＩＳｈｏｕｓｈａｎＬＯＵＪｉａｎｚｈｏｎＺＨＥＮＧＳｈｕｋａｉＣＡＯＺｈｉｇｇ（，，，，）１．ＣｏｌｌｅｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎＨｅｂｅｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔＢａｏｄｉｎ０７１００２Ｃｈｉｎａｇｇｇｙｇ：犃犫狊狋狉犪犮狋ＴｈｅＩｎＧａＺ