pmosfets中的nbti效应研究.pdfVIP

摘 要 摘 要 套灞皲效应邕缎藏为限翻器耱霹靠往豹耋溪因素，在器箨尺寸缭，l、瓣超深亚镞 米及纳米尺度后，NBll效应造成的影响日益严重。已经越越HcI效应成为cMoS 电路退化乃至失效的重要因素。所以很有必要对NBTI效臌进行深入研究。本文对 PMOSF盯s孛的NB弧效应翳邋像瑷象及退像撬理进行7深入斡磅究。 首先研究了PMOS嚣件静I．V特性帮主簧静态参数猩一次NBT应力、PBT应 力及二次NBT应力作用下的退化、恢复及再次退化现象。 熬点研究了NB瓢效应的退化梳理，研究袭明反型沟道中空穴在栅襞中的俘获 戳及氢分子在撵氧审豹扩教是弓|起NB程退纯豹圭要器嚣。当应力条传燮隽PBT 时，陷落的空穴可以快速退陷，佩只有部分缀分子可以扩散回栅氧与衬底界面钝 化硅悬挂键，这就导致了PBT条件下阈值电滕只能部分恢复。 慰艇c姝B曩藕合效应遣进移了磅突，表鞠珏c臻B程耩会效疲导数熬器终主基 化眈零一的NBTI效虚和室温下的HCI效应严重，并具有较大的退化斜率和较小 的激活能，主要导致阈值电压Vm的大幅漂移，并随应力时间的增加而黛现一定的 饱和怒势，这主要来源于废力期阀产生的界蕊态移陷阱正电德。HcN瓣应力在 靠近满蠕辩近产生簸夭损伤，蔼中央淘道医耩靠近源臻酣撩主要由N8Tl效应弓l 起。 通过引入氘或氟等物质，以及RPN氮化置艺等措施可以有效抑制NBTI效应。 关键词；PMOS器件负偏置温度不稳定性藤偏置应力热裁流子效应研靠性退 化机理 矗搬憾cl AbStract W主mthc ofdeVicesizeintoul缸a submicron躺dllano scaling deep regio芏lNB瓤 HCI llaVe inCMOS its circuit，aJld e觑姗bey∞d become柚impo㈣treliabil时issue and mechallisma糟discussedintllisdis8enationw“h de辨mionph朗omenOn deeply 尊蛾necessa够 Fi愆氇e l-Ve殛l蝴r deg臻莲越io玩辖covega砖则棼豁醚舔鲢薛pMOSF骶’s and妃砸c p驸aild畦lesecondNBT pa糟metc鹅under s拄ess∞删矗ons thc趣髓NBt are pfesented． 1kmechallismofNBnis demoIlsn呲。d investig绷edde印ly．n’sexperin∞ntally 协at of holesn|ominversionclla锄elandthedi缸ion ill n砷ped hydrog雌molecllles condi硒nis8谢谢豫d￡oP8T s№ss蛀持饿暇则hol豁c越k豫pidlydetrapped，butonly