soi横向高压件耐压模型和新器件结构研究.pdf

摘要 摘 要 Sol(SiliconOnInsulator)高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度 快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路 (PowerIntegratedCircuit,PIC) 重要的发展方向。Sol横向高压器件是Sol高压集成电路的核心和关键，受到了 国际上众多学者的研究。但是，由于受到纵向耐压的限制，当前真正进入实用阶 段的器件结构，其击穿电压还没有超过 600V，从而限制了Sol技术在千伏级高 压集成电路中的应用。此外，在设计方面，当前所沿用的设计理论仍然是体硅的 RESURF判据，但事实上，Sol器件结构上的特殊性使其RESURF效应和体硅器 件有较大差异，这一点在设计中却往往被忽视。 本文围绕Sol高压器件的耐压问题，从理论模型和器件结构两方面展开创新 研究。首次提出了两项耐压理论:S-RESURF(SingleREducedSURfaceField)高 压器件全域耐压模型和D-RESURF(DoubleREducedSURfaceField)高压器件统 一耐压模型，设计了两种新结构器件:埋氧层固定电荷结构 (StepBuriedOxide fixedCharge,SBOC)和局域电荷槽结构 (ChargeCapturedTrenches,CCT)，并进 行了部分实验。 两项耐压理论是: 1)SolS-RESURF高压器件全域耐压模型。提出均匀、阶梯和线性漂移区的 SolS-RESURF高压器件全域耐压模型，导出包含耗尽区电荷共享效应与埋氧层 电场调制效应的SolS-RESURF判据。基于电势分解法求解二维Poisson方程， 得到了任意漂移区横向杂质分布的SolS-RESURF器件在全耗尽和不全耗尽情况 下的二维电势和电场分布全域解析模型，然后将其应用于均匀、阶梯和线性漂移 区结构的分析，给出了最优浓度分布的理论公式和最小阶梯数判据。最后，在此 理论指导下，在3pm顶层硅,1.5pm埋氧层的Sol材料上成功研制了耐压为250V, 导通电阻为1.6flmm2的二阶掺杂SolLDMOS，其耐压比相同结构的均匀掺杂漂 移区器件提高了57 ，而导通电阻下降了11%0 2)SolD-RESURF高压器件统一耐压模型。提出均匀、阶梯和线性掺杂Sol D-RESURF高压器件二维耐压解析模型，构成了系统的SolD-RESURF统一耐压 理论，并首次给出了普适于所有双层漂移区器件的SolD-RESURF判据。首先借 助P-top结深因子，把D-RESURF器件等效成阶梯S-RESURF器件，进而建立了 具有均匀、阶梯和线性掺杂P-top层的SolD-RESURF器件的二维势场分布模型， 然后借助该模型对器件耐压特性进行了深入分析，首次定量研究了D-RESURF器 件比S-RESURF器件耐压略微降低的机理，建立了浓度优化区DOR(Doping OptimalRegion)。并首次得到了阶梯和线性掺杂P-top层浓度分布的理论优化公 式，提出了最优P-top层阶梯数判据，为SolD-RESURF器件的设计提供理论依 电子科技大学博十论文 据。 两个新结构是: 1)阶梯埋氧层固定电荷SOl新型高压器件。提出SOl的纵向耐压新理论一 -INBOLF(INcreasedBuriedOxideLayerField)理论，及基于此理论的新结构器件 — 阶梯埋氧层固定电荷高压器件。INBOLF理论通过提高埋氧层电场来突破常 规SOl纵向耐压极限，为SOl纵向耐压设计开辟新思路。基于此，提出SBOC耐 压新结构，通过在埋氧层上表面引入阶梯分布的高浓度固定电荷来改善漂移区二 维电场分布。并借助求解二维Poisson方程，建立了该结构的二维耐压模型，得 到了包含界面电荷电场调制效应的新RESURF判据。结果表明:在界面电荷的调 制作用下，埋氧层电场可从习用的90V介UT提高到了600V/lxm，同时也能获得准 矩形的表面电场，从而大幅提高击穿电压。我们在3微米顶层硅，2微米的埋氧 层，70微米的漂移区长度下实现了1200V的击穿电压，而相同结构的常规器件最 高耐压只有190V. 2)局域电荷槽 SOl新型高压器件。提出通过在埋氧层上下表面引入梯形或 矩形局域电荷槽来改善击穿特性。当器件处于反偏状态时