低功耗rf cos低噪声放大器的设计.pdfVIP

摘要 随着科学技术的进步，人们对便利生活的要求越来越高，人与人之间的 联系与沟通，已由有线传送进步到无线传输，使得无线通讯系统(wireless co啪unication system)蓬勃发展。无线通讯系统以工作的频率可以分成三个 主要系统方块，分别是射频(RF)，中频(IF)，以及基频(Baseband)。基频和 中频的部分由于工作频率较低，电路中又不需要有电感，很适合以cM0s工艺 来实现，而RF的部分为了满足阻抗匹配以及设计上的需要，所以需要将面积 大而又损耗高的电感导入使用，也因此使得RFIc电路的设计考虑比基频和中 频更加地复杂，并且需要建立更精确的模拟模型，使得制作出来的芯片精确 度提升。 射频、中频和基频整合在同～芯片上，低功耗省电，面积小，单电压易 整合，使得目前市面上所有计算机以及通讯相关领域的产品受到了重大的影 响。最明显的例子就是手机、PDA和Noteb00k体积将可以越做越小，越来越 省电使得待机时间增长，重量越来越轻使得可移动性增高，并且适用于大量 制造生产，加速产品的普及和生产成本的降低，所以CMOsRF的Ic制作成为目 前相当热门的研究发展主题。 Front 由于cms工艺上的快速发展，射频前端电路(RF End)也逐渐使用 CMOS工艺制作，这不但降低制作成本，也增加了系统的整合性。而近年来由 于无线通信的迅猛发展也对射频电路提出了新的要求，主要为：小型化、低 功耗、低成本、高性能和高集成度。所以本论文，针对这一要求，完成了～ PowerLowNoi8。 个1GHz无线射频前端接收电路的低功耗低噪声放大器(Low AⅡlplifier)的设计。 cMOS工艺，通过 本论文采用的是台湾集成电路制造公司(TsMC)的O．18um 对几种低噪声放大器结构的分析，提出了以源极电感和栅极电感作为输入阻 LNA电路结构基础上，又引入一个中间电感，消 抗匹配，在此经典的cascode 除了中间寄生电容的影响，使得所设计的LNA的增益和线性度比以往有所提 高，而通过限定功耗的噪声优化方法，使我们的LNA有较小的功耗的同时噪声 也较小。 堡丝堑竺!塑!!堡妻墼查堡塑堡生 本论文所设计的lGHz的差分结构低功耗cMOsLNA采用了EDA工具cadence 中的spectre进行了仿真，不但完成了前仿真而且在做成版图后又进行了后仿 真。前仿真的结果显示，本论文所设计的LNA主要指标为：32dB的增益、1．5dB 的噪声指数及9Ⅲw的功率消耗；后仿真后，我们可以看到，本论文所设计的LNA 可以提供24dB的增益、l。7dB的噪声指数及11．5mW的功率消耗。在此基础上我 们还分析了前后仿真结果有着很大差异的原因，讨论了如何在设计中尽量照 顾到寄生效应的影响。 关键词： CMoS、射频、低噪声放大器、低功耗 II —————————————～————————』塑竺竺兰一．—— Abstract Duetothe advanceinscienceand rapid wireIess technology，the communication has shortenedthe system potenny connectivityamongpeople． Interms of wireless