利用ICPCVD方法在GaN上沉积氧化硅薄膜的特性.pdfVIP

第 34卷第 1期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．34，No．1 2015年 2月 J．InrfaredMillim．W aves February，2015 文章编号：1001—9014(2015)01—0023—06 DOI：10．3724／SP．J．1010．2015．00023 利用 ICPCVD方法在 GaN上沉积氧化硅 薄膜的特性 刘秀娟 ，张 燕 ，李向阳 (1．中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083； 2．中国科学院研究生院，北京 100039) 摘要：使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductivelycoupledplasmachemicalvapordeposition，ICPCVD)方法在 GaN上沉积SiO 薄膜，生长参数中采用不同RF功率，研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响．结果发现， 随着RF功率增大，薄膜应力增大，表面粗糙度减小，薄膜致密度增大．选择最优的RF功率参数，制作 了SiO／n— GaN金属一绝缘体一半导体(metal—insulator—semiconductor，MIS)器件，结果得到薄膜漏 电流密度在外加偏压为 90V 时小于 1×10 A／cm ，SiO／n—GaN界面态密度为2．4×10…eV am～．表明利用 ICPCVD低温沉积的SiO一GaN界 面态密度低，薄膜绝缘性能 良好． 关 键 词 ：ICP．CVD；SiO；薄膜应力；表面粗糙度；界面态密度 中图分类号 ：TN23 文献标识码：A Characterization ofsilicon oxidefilm grownon GaN depositedbyICPCVD LIUXiu．Juan一， ZHANGYan ， LIXiang。Yang (1．StateKeyLaboratoriesofTransducerTechnology，ShanghaiInstituteofTechnicalPhysics， ChineseAcademyofSciences，Shanghai 200083，China； 2．GraduateUniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing 100039，China) Abstract：Siliconoxide(SiO )filmsonGaNweresynthesizedat75oC，usingtheinductivelycoupledplasmachemical vapordeposition(ICPCVD)withdifferentradio—frequencychuckpower(RFpower)．Thephysicalandelectricalproper— tiesofthedepositedSiO thinfilmswerecharacterizedbyvariousmehtods．ItisfoundthatashteRFpowerincreased， thefilms’stressincreasedwhilethesurfaceroughnessandhtefilm density increased．W iht optimizedRFpower，hte SiO ／n—GaNmetal—insulator—semiconductor(MIS)structureswerefabricated．TheelectricalpropertiesofhteSiO films wereinvestigatedbycurr