6h-sic异结源漏mosfet的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文给出了一种新型结构的 SiC MOSFET——6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 。 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 用多晶硅/SiC 接触代替了重掺杂的 pn 结来做 MOSFET 的源漏区。这种器件结构制备工艺简单，避免了长期困扰常规 SiC MOSFET 的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大、注入激活率低等问 题。 论文给出了 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 的基本结构及模型，并分析了其电 流输运机制。通过器件模拟软件 ISE TCAD 模拟了 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 的基本伏安特性，并和先前的研究成果进行了比较，分析了不同氧化时间、源漏 区不同掺杂、栅长、衬底掺杂浓度和其它因素对 6H-SiC 异质结源漏 MOSFET 伏 安特性的影响。 根据研究的成果，我们提出了一种新的 SiC 欧姆接触工艺——多晶硅/SiC 异