90nm nms器件tddb击穿特性研究.pdfVIP

摘要 摘 要 集成电路特征尺寸发展到90rim工艺时，撩介矮层的厚度将至2nm以下，襁 氧化层仅有几个原子层的厚度。在器件的栅电场强度不断增加情况下，绝缘击穿 对栅介质层的影响越来越弓|起入们的关注。本文对NMOSFET的TDDB击穿现象 及击穿机理进行了深入的研究，并对NMOSFET栅质量评估做了深入探索。 采用恒定电压法，利用HP4156B高精度半导体参数分析仪对NMOS电容施加 重点研究TDDB的击穿机理，研究表明隧着栅J|摹的不领减薄，栅氧击穿馥线 也相应发生变化，没有出现饱和现象，而是先发生软击穿，然后发生硬击穿；本 文认为这是由于栅漏电流组成成分发生变化，幽原来的以FN隧穿电流变为以直接 隧穿电流为主，原有寿命预测模型不再适用，本文提出了一个器l牛寿命的修形模 型，并按此模型对NMOS器件寿命进行预测，结果和实际值取得了很好的一致。 对栅氧质量评 鑫也进行了研究探索，对相同结构不同截积的NMOSFET电容 采用恒定电压法进行TDDB应力加速实验，测量栅氧化层击穿电壁Qbd和临界陷 Qbd在同样条件下面积较小的MOS电容Qbd小。通过对比，本文认为用愠界陷阱 密度Nbd比击穿电量Qbd更能精确表征栅氧化层的质量。 关键词：NMOS器件经时击穿器件寿命缺陷密度 Abstract Abstract reducedtOless Withthe ofde