电子材料物理第二章晶体中的缺陷与扩散资料.ppt

主要内容：本章讨论晶体中的缺陷及其扩散 行为，并讨论扩散的应用。 要求掌握晶体中的缺陷类型及其缺陷的扩散 行为，了解扩散的应用——烧结 2.1 晶体中的缺陷 2.2 缺陷的扩散规律 2.4 固相反应与烧结 2.1 晶体的缺陷 晶体缺陷的定义及分类： 对晶体周期性排列结构的偏离称为晶体缺陷，它对电子材料的物理性质会产生很大影响。 晶体缺陷可分为： 微观缺陷1.点缺陷 晶格周期性的破坏发生在一个或几个晶格常数范围内的缺陷称为点缺陷。点缺陷包括 (1)不被占据的粒子格点-空位; (2)存在于填隙位置上的粒子-填隙 (3)杂质粒子替代某格点-替代式杂质/填隙式杂质。其中由热起伏原因所产生的空位和填隙原子称为热缺陷。 热缺陷包括 ： ①弗仑克尔缺陷：对理想的氧化物离子晶体加热,温度的升高原子脱离格点，使金属子晶格上同时形成金属填隙和金属空位. ②肖特基缺陷：在不同的子晶格上同时形成金属空位和氧空位. 1) 点缺陷的特点 点缺陷的尺寸很小（与原胞相比拟） 点缺陷产生局部点阵崎变，其大小由晶体结构、母体粒子大小、杂质粒子大小和晶体的键型决定 2）点缺陷的符号糸统（Kroger-Vink） 以MO型金属氧化物为例（M---金属元素，O---氧元素）①V：空格 e：电子 h：空穴 ②下标：位置 i:填隙位置 ③上标：