3.9 霍尔传感器要点.pptVIP

3.9 霍尔传感器 把一块载流子导体置于静止的磁场中，当载流子导体中有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场的方向上就会产生电动势，这种现象称为霍尔效应，所产生的电动势称为霍尔电势，此载流子导体称为霍尔元件或霍尔片。 3.9 霍尔传感器 一块长为 ，宽为 ，厚度为h的N型半导体，在半导体长度方向通以电流I，将其置于的磁感应强度为B的磁场中（磁场强度方向垂直于半导体平面），则半导体中的载流子电子将会受到洛仑兹力的作用，根据物理学知识 （9.80） 式中 —电子的电荷量，； —半导体中电子的运动速度； —磁场的磁感应强度。 3.9 霍尔传感器 方向如图中所示。在力 的作用下，按长度方向运动的电子将会向半导体的一侧偏移，形成电子累积，而在另一侧将会累积正电荷，从而又在两侧之间形成一附加内场 ，即霍尔电场。此时霍尔电场 两端之间的电位差 （霍尔电势）为 3.9 霍尔传感器 霍尔电势与磁感应强度B和激励电流I成正比，与霍尔片厚度长反比，因而在实际应用中为了提高灵敏系数，霍尔元件常常制成薄片形状。 —电子（或空穴）迁移率 —材料的电阻率。 3.9 霍尔元件 （1）霍尔元件的结构 霍尔元件的结构