物理电子学中若问题的计算机模拟研究:电子全息与离子诱变形貌.pdfVIP

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  • 2016-03-02 发布于贵州
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物理电子学中若问题的计算机模拟研究:电子全息与离子诱变形貌.pdf

物理电子学中若问题的计算机模拟研究:电子全息与离子诱变形貌

中文摘要 本论文内容可以分为两大部分,分别对物理电子学中的若干问题进行了数值 模拟研究:第一部分为电子全息方面的计算机模拟研究;第二部分为离子溅射诱 变si表面纳米形貌的实验与模拟研究: 一,电子全息的计算机模拟研究 电子全息术充分利用了电子波的振幅、位相等信息,通过纪录电了波的波前 和数值重现的关键技术,可以获得原子级分辨率的物质结构像,成为探索微观世 界的有力工具。本论文对传统的高能离轴电子全息和新型的低能同轴电子全息高 分辨率数值重现进行了计算机模拟研究,主要包括: 1.电子显微像的数值重现 Electron 在物质科学的分析、研究中,透射电予显微镜(TEM--Transmission Microscopy)是最常用且有效的仪器。本文从波动电子光学理论出发,简要地论 述rTEM的电了显微成像原理——Abbe二步成像法:电了波通过物(样品)平 面后在光阑(衍射)平面上形成衍射像(傅里叶正变换过程)、然后电子波在传 播过程中将衍射平面上的衍射像投射到像平面上形成实空间像(傅里叶反变换过 程)。基于这一原理本文对实验测得的Si(1lO)衍射像进行了数值

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