20111015射频磁控溅射法制备PZT薄膜工艺及研究.pptVIP

* * * * * * * * * * * 射频磁控溅射法制备PZT薄膜工艺及研究 2011-10-15 射频磁控溅射法制备PZT薄膜 对制备的PZT薄膜能谱分析 测PZT薄膜的厚度(Si基底) 对制备的PZT薄膜进行退火处理 对退火后的样品ESEM表征 拉曼分析 实验材料及设备： 载玻片（1cm×1cm），硅片（ 0.5cm×0.5cm ） PZT靶材：国材科技（China Material Technolpgy） 镀膜机：MSP/ED-300c型磁控溅射/热蒸发镀膜机（北京创世威纳科技有限公司） 一、射频磁控溅射法制备PZT薄膜 Purity:Pb(Zr0.52Ti0.48)O3, 实验工艺参数： 溅射系统： MSP/ED-300c型薄膜溅射系统 溅射靶材： Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 基片至靶间距： 10cm 背底真空度： 1×10-4Pa 溅射气氛： Ar/O2=45/0 溅射气压： 0.53Pa （实际值1.1Pa） 衬底温度： 室温 溅射功率： 160W 溅射时间： 0.5h，1h，1.5h，2h，2.5h，3h，3.5h 实验过程： 1、衬底的处理 将