硅片加工表面抛光解析.ppt

上章内容回顾 加工的对象：硅切割片 加工的过程：倒角、研磨、热处理 加工的目的： 倒角—1. 防止崩边；2. 热处理过程中，释放应力 负面效应（形成边缘应力） 研磨—减薄表面损伤层，为进一步抛光创造条件 负面效应（形成面内螺旋式应力分布） 热处理—1. 消除热施主；2. 释放应力 为何是对硅片，而不对硅锭，进行热处理？ 1) 大块单晶不容易均匀受热，加热后易发生崩裂，（热膨胀系数各向异性的），而硅片尺寸小，散热快，不易于崩裂。 2) 对硅片热处理，可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。 加工效果的评估 损伤层：大幅减薄，大约还有20～30μm 粗糙度：大幅减小，大约还有10～20μm 应力：内部已经消除 电阻率温度稳定性：较好—消除了热施主 杂质污染：存在不可避免的金属等污染，一般在浅表层。 待进一步加工： 损伤层，粗糙度， 洁净 抛光 清洗 下一章的工艺 硅片的表面抛光——进一步提高硅片表面的平整度。 第四章 硅片表面的抛光技术 主要内容： 1. 抛光片的特性参数。 2. 抛光的基本流程：化学减薄—抛光。 3. 典型的抛光方法—CMP CMP: Chemical Mechanis