外延薄膜中的缺陷要点.pptVIP

如果x,y方向上均存在失配度f, 薄膜岛的面积始终保持为正方形, 此时薄膜岛的应变能可以和(P61)式类似地表示为: E?=?eV(?x2+?y2+2?x?y)/(1-?) 这里?x,?y分别是x,y方向上的应变, 在失配位错产生前它们分别等于失配度f, 此时应变能是(P61)式的4倍. 当薄膜岛长大到一定大小后, 失配位错就会先后分别在x,y方向上产生(也可以反过来). 如图所示, 随着薄膜岛尺寸的增大, 失配位错先沿x方向产生, 再沿y方向产生, 并且逐步增多(图中新增位错用虚线表示), 为了保证位错应变场的范围均衡, 位错将最终位移到图中所示的位置. * 实际上以上岛中失配位错的形成过程还不是一种微观的原子过程, 它并没有说明失配位错的具体形成机制. 原则上前面介绍的失配位错的成核和增殖机制可以应用到岛状薄膜, 但是岛状生长时可以有另外的原子过程. 如图表示在化合物半导体(001)面上薄膜岛向左生长时岛中原子相对衬底原子的偏移愈来愈大, 以致岛中X原子可以不和衬底的A原子成键、而和衬底的B原子成键, 使岛中原子相对衬底原子的偏移减小(使应变减小), 于是衬底中的A原子就成为失配位错的芯(柏格斯矢量为[110]/2), 位错芯附近的原子组态也不断调整, 形成完整的失配位错 * 外延生长中的主要缺陷除了失配位错和