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27 4 Vol27, No4
23
2011 4 Electric Power Science and Engineering Apr., 2011
IGBTRC
姜栋栋, 王 烨, 卢 峰
( , 071003)
: 由于 IGBT 经常工作于高频状态, 因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要对 IGBT关断过电
压的产生 理进行了分析, 对常用的 3种缓冲电路进行简单介绍, 并且重点对 RC缓冲电路的工作原理
及参数确定进行了理论分析搭建了用于测试 IGBT 动态特性的电路模型, 并通过M ultismi 对 RC 缓冲电
路进行了仿真与分析, 验证了 RC缓冲电路的吸收特性
: RC; 缓冲电路; IGBT; 浪涌电压
: TM 21 : A
,
0 IGBT , IGBT
, IGBT IGBT
IGBT ( Insu lated G ate B ipolar T ransistor), ,
, BJT ()
MOS ()
, MOSFET 1 IGBT
GTR
11
GTR, , ;
IGBT 1
MOSFET , ,
, IGBT
,
600 V,
[ 1]
IGBT
, , ,
IGBT kH z
, , IGBT
1 IGBT
,
F ig. 1 Local operating circuit of IGBT
,
IGBT, ,
, ,
, ,
, kH z,
di/ dt
, IGBT
,
, , IGBT
, ,
, ,
,
IGBT , ,
: 2010- 12- 10
: ( 1 86), , , , Em ail: ugv007@
163. com
24 2011
Ucep = Uce +L di / dt ( 1)
: Ucep, V; Uce
, V; L (
) , H; di / dt IGBT
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