碳纳米管场效应晶体管的设计要点.ppt

碳纳米管场效应晶体管的设计 作者：许高斌、陈 兴、周 琪、王 鹏 出自： JOURNAL OF ELECTRONIC MEASUREMENT AND INSTRUMENT 自1991 年S. Iijima 发现碳纳米管后, 由于其独特的物理、化学性质及其机械性能, 具有径向量子效应、超大比表面面积、千兆赫兹的固有振荡频率等特点, 碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)引起了人们的极大关注。 金属性碳纳米管在室温下有良好的导电性,碳纳米管材料的性能已经超过目前普遍使用的铜互连工艺, 因此碳纳米管将来可能用作3D(三维集成电路)互连材料。 半导体性的碳纳米管具有传统半导体的所具有的电学性质, 在室温下, 半导体性的碳纳米管导电性能很差, 可视其为绝缘体。但是如果在其径向方向上加1 个偏压,因其内部产生载流子而具有导电性。随着径向偏压的增大, 载流子的浓度也随之增大。 与普通半导体的区别： 半导体在掺杂之后, 根据其掺杂的种类不同，导电方式分为P 型和N 型半导体。 半导体性质的碳纳米管的导电方式根据加在其径向方向上的偏压不同而改变。在加正偏压的情况下, 碳纳米管内部的载流子为电子, 属于n 型; 如加偏压为负, 碳纳米管的载流子为空穴, 导电类型为p 型。 由于极好的电学和机械特性, 碳纳米管非常适合制NEMS(纳机电系统)器件。 典型碳纳米管分立器件结构 1. 荷兰代尔夫特工业大学Tans S J 等于1998 年首次提出利用碳纳米管制成的场效应晶体管。 特点描述：硅衬底做背栅(衬底上通过热氧化生长1 层厚300 nm 的SiO2 层), 然后制备Pt 作电极, 再利用自组装技术将半导体型的单根单壁碳纳米管搭接Pt 电极上, 从而构建单壁碳纳米管场效应晶体管结构。 从CNT-FET 的I-V 特性曲线上可看出，电流在nA量级, 在Vgate=0 时, I-Vbias 特性曲线出现了一些小的非线性。当Vgate 增加到正值时, 在Vbias=0 附近出现明显的间隙状态非线性。当Vgate 为负值时,I-Vbias 特性曲线变为线性, 电阻饱和于1 kΩ 附近。 2. 2004 年Hoenlein 等提出了一种新型垂直CNT结构的CNT-FET, 垂直生长SWCNT 直径为1 nm, 长为10 nm, 制备的同轴栅介质和栅的厚度约为1 nm, SWCNT 的上、下端分别为源漏极。垂直CNT-FET 的优越性表现在CNT 的垂直生长比水平生长更容易。 垂直结构CNTFET 的理想源漏电流电压特性 3. 2004 年中国科学院物理研究所的梁迎新等提出了1 种双DWCNT-FET, 用低电导率的DWCNT内壁(直径1.34 nm)作为栅, 高电导率的DWCNT 外壁(直径1.73 nm)作为导电沟道。 理论上器件的关断 (OFF)电流为0.03 μA, 开启(On)电流为14 μA 。然而, 这DWCNT-FET 结构虽然具有一定的结构新颖性和一定的理论研究意义, 但在实际制备时内外壁栅极定位难以实现, 基本没有实用化的可能性。 4. 2006 年Bae-Horng Chen 等提出了一种双栅(底栅+顶栅)结构的、SWCNT 沟道导电类型可调的CNT-FET。在980℃下通过湿法氧化获得600 nm 的栅氧化层, 低PECVD 法沉积200 nm 的氧化层或氮化硅层, 150 nm 的源漏和栅电钛(Ti)极是利用RF 溅射法制备。 该双栅压控制器件的转移特性曲线。当底栅施加正偏压, 顶栅电压0~?12 V 变化时, 源漏电流随顶栅压的减小而减小, 且导电沟道可以有效实现夹断; 当底栅施加负偏压, 顶栅电压0~?12 V 变化时, 源漏电流随顶栅压的减小而增大, 且导电沟道增强。 可调沟道电导的SWCNT-FET 转移特性曲线 5. 2008 年Chen 等提出了1 种新型围栅结构的CNT-FET。其主要特点是碳纳米管CNT 完全被栅介质层(Gate All-Around: GAA)和栅极Ti/Au 包裹。源漏间距为100 nm, 利用原子层沉积ALP 法制备10 nm的Al2O3, 栅极以外的氮化钨(WN)和Al2O3 利用湿法腐蚀去除。 I-V 特性测试表明器件的阈值电压为2 V 对不同退火温度C-V 特性的影响进行了分析研究, 研究表明C-V 特性与测量频率有关, 且在退火温度高于500℃时, 氧化层的质量得到明显改善。 6.