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《电子技术基础》电子教案 电子技术基础 第一章 半导体二极管和三极管 第二章 基本放大电路 第三章 集成运算放大器 第四章 直流稳压电源 第五章 晶闸管电路 第六章 门电路及组合逻辑电路 第七章 触发器和时序逻辑电路 第八章 数字技术的常用电路 第1章 半导体二极管和三极管 1．1 半导体的基本知识 在我们日常接触的物质中，一类是电阻率很小，容易导电的金属，如金、银、铜、锡等，这类物质叫做导体；另一类是电阻率很大，几乎不能导电的物质，如橡胶、陶瓷、玻璃等，这类物质叫绝缘体。但是在自然界里面，还有一些物质，它们的导电本领即电阻率，处在导体和绝缘体之间，这种物质我们叫它为半导体。目前用来制造晶体管的材料主要有锗、硅等。 1．1．1 、 半导体的导电方式 半导体中载流子有两种：一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴，它们数目相等，但总数不多，远远低于金属导体中载流子的数量，所以半导体的导电性能比导体差而比绝缘体好。 在金属导体中导电的是自由电子，而在半导体中，电子和空穴是同时参与导电的，这是半导体导电的重要特征。 1．1．2 、 N型半导体和P型半导体 1、N型半导体 N型半导体，又称为电子型半导体。是在纯净半导体中掺入微量的五价元素（如磷元素）制成的，其中含有数量较多的带负电的自由电子，还有少量的带正电的粒子（称为空穴）。即在N型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 2、P型半导体 P型半导体，又称为空穴型半导体。是在纯净半导体中掺入微量的三价元素（如硼元素）制成的，其中含有数量较多的带正电的粒子（称为空穴），还有少量的带负电的自由电子。即在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 1．1．3 、 P N结及其单向导电性 PN结的单向导电性?? ??PN结在未加外电压时，扩散运动与漂移运动处于动态平衡，通过PN结的电流为零。当电源正极接P区，负极接N区时，称为给PN结加正向电压或正向偏置; ?当电源正极接N区、负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。 1．2半导体二极管 1．2．1、二极管的结构、符号和类型 二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加上两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，它的文字符号为“V”，图形符号如图1—4所示，图形中箭头表示PN结正向电流的方向。 二极管的符号和类型 二极管有许多类型，根据制作材料的不同，二极管可分为硅管和锗管；按工艺可分为点接触型和面接触型；按用途可分为整流二极管、检波二极管、光电二极管、开关二极管、激光二极管等。 1．2．2、二极管的伏安特性曲线 1、正向特性 当正向电压升高到一定值Uth以后内电场 被显著减弱，正向电流才有明显增加,Uth 被称为门限电压或阀电压。Uth视二极管 材料和温度的不同而不同，常温下，硅管 一般为0.5V左右，锗管为0.2V左右。 2、反向特性 当二极管两端外加反向电压时，PN结内电场进一步增强，使扩 散更难进行。这时只有少数载流子在反向电压作用下的漂移运 动形成微弱的反向电流IR。反向电流很小，常温下，小功率硅 管的反向电流在nA数量级，锗管的反向电流在μA数量级。 1．3 稳压管 稳压二极管又叫稳压管， 它是用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管，它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定数值时，反向电流突然增大，稳压二极管进入击穿区，此时即使反向电流在很大范围内变化时，稳压二极管两端的反向电压也能保持基本不变，实现稳压。其被反向击穿后，当外加电压减小或消失时，PN结能自动恢复而不至于损坏。但若反向电流增大到一定数值后，稳压二极管则会被彻底击穿而损坏。 稳压管主要用于电路的稳压环节和直流电源电路中，常用的有2CW型和2DW型。 1．4 半导体三极管 1．4．1、三极管的结构、符号和类型 半导体三极管也称为晶体管，它是电子线路中的主要放大元件。 三极管好像是两个反向串联的PN结。但是如果把两个孤立的PN结，比如两个二极管反向串联起来，是不会有放大作用的。 1．4．2、三极管的电流放大作用 1、具有放大作用的条件 要使三极管具有电流放大作用，必须给三极管加上合适的工作电压，即：使发射结正偏，集电结反偏。也就是说发射结的P区接电源负极，N区接电源的正极。三极管放大电路不论采用哪种管型和哪种电路形式，都要满足这个基本条件。即对于NPN型三极管，c、b、e三个电极的电位必须符合：UC＞UB＞UE；对于PNP型三极管，电源的极性与NPN型相反，应符合UC＜UB＜UE。 2、电流放大作用 β就是三极管的共发射极电路的电流放大系数。在表