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摘要
本文采用基于第一性原理的全势能线性糕模轨道分子动力学
(FP~埘T0池)方法研究了掺杂碳原子对Si。(n拦2一19)团簇稳定性的影响,
以及非金属元素掺杂C鞴,C∞富勒烯的几何和电子结构。FP一心T0麓D方法
是当前国际上计算和研究固体(包括固体表面及原子团簇)的几何结构
和电子结构的最好方法之一,由于这种方法采用了全势能,所以计算的
结果精密度较高。
运用全势能线性糕模轨道分子动力学方法,我们研究了掺杂碳原子
对Si。(n=2一19)团簇稳定性的影响,具体是在Si。团簇的基态结构和具有较
大结合能的异构体中,用一个C原子取代Si。(n=2一19)团簇不同位置Si
原子。我们发现即使发生一些畸变,C异原子并不改变纯Si。团簇的基本几
。●
● ●
何结构。随着C原子数的增加,杂质C原子对整个团簇结构的影响逐渐减
少。另外一方面,一些能量差别较小的异构体之闻的能量序列会发生改
变。同时C原子通过改变一些键的强度,可以增加Si。一。C(n=2—19)团簇的
稳定性。另外,它们离子团簇的结构研究表明:增加或减少一个电子并
不影响团簇的整体结构,但可能改变能量序列。在Si。一。C(n≥6)的中性
和离子团簇的稳定结构中,C原子易取代配位数大于三的Si原子。
另外,我们还系统地研究了替代式Xe。(辩Si,O:礅=49,59)和内嵌、
质原子附近发生一定程度的畸变,但优化后的结构仍然保持C。。,C。。的笼状
eV),C舳(9.5leV)小,稳定性
结构口它们的单原子结合能比纯C。。(9.38
降低。由于与其它异构体相比,C49Sia和C490a有较好的稳定性,所以在
C。。的四种位置中,Si和O原子易取代IV位置的C原子。在所有X@C。。和
和C60Cb是最稳定的。通常情况下,0原子很难稳定的吸附在表面,而更
易位于C--C桥键位置。C、Si原子既可以吸附在表面的中心位置;也可以
位于其它位置。
关键词:硅团簇,掺杂原子,富勒烯,稳定结构,结合能
Abstract
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